IGBT-Transistormodul

IGBT-Transistormodul - IXYS
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Eigenschaften

Typ
IGBT

Beschreibung

Pint IGBTs # Eigenschaften: VCES: 300V zu 1200V # IS (90): 2A zu 200A # hoher Gewinn, niedrige übertragung u. Schaltung Verluste. Kategorien: A2, A3, B2, B3, C2 # und C3 A2: DC zu 10kHz. B2, B3: 15kHz zu 40kHz C2: 40kHz zu 100kHz # C3: 50kHz -150kHz. A3-Class polare IGBT/Diode Arten, Mittelfrequenz-Strecke (15KHz-40KHz) # C3-300 V IGBT, Schnell-Pint für 50kHz-150kHz, das mit oder ohne vorhandene ultraschnelle Diode in der ähnlichkeit schält

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