Lawinentransistoren

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MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IPD900P06NM

Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V

... Übersicht

  • IPD900P06NM ist ein P-Kanal Leistungs-MOSFET, ausgelegt für Schalt- und Leistungsmanagement-Anwendungen.
  • Technologie: OptiMOS™
  • Polarität: P (P-Kanal)
  • Typisches Gehäuse: DPAK (TO-252)


Wichtige ...

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Spannung: -60 V

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Strom: -100 A
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Strom: -0,55 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerem ...

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BSP170I

Strom: -3,2 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Anwendungen zum Schutz vor Verpolung. Der Hauptvorteil der OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs liegt in der vereinfachten Designkomplexität bei Anwendungen mit ...

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IPD650P06NM

Strom: -22 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bausteins ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerem ...

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... Der FMMT413 ist ein NPN-Silizium-Planar-Bipolartransistor, der für den Lawinenbetrieb optimiert ist. Strenge Prozesskontrolle und induktionsarme Verpackung ergeben zusammen hohe Stromimpulse mit schnellen Kanten, ideal für die Ansteuerung von Laserdioden. Funktionen ...

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Strom: 3,2 A
Spannung: 650 V

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