Lawinentransistoren

Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V

... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...

Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

Strom: -6,5 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...

Strom: -1,9 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

Strom: -100 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im D²PAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...

Strom: -0,18 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

Strom: -0,3 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

Strom: -6,5 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bausteins ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...

Strom: -1,9 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

Spannung: 50, 100 V

... Der FMMT413 ist ein NPN-Silizium-Planar-Bipolartransistor, der für den Lawinenbetrieb optimiert ist. Strenge Prozesskontrolle und induktionsarme Verpackung ergeben zusammen hohe Stromimpulse mit schnellen Kanten, ideal für die Ansteuerung ...

Strom: 3,2 A
Spannung: 650 V

Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform *) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation l) Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger ...

Strom: 2,3, 3,2 mA
Spannung: 650 V

Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform *) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation l) Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger ...

Strom: 50, 20 A
Spannung: 60 V

Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Standardausfuhrung *) Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung Avalanche-Charakteristik Konform ...