MOSFET Modul / Feldeffekt CMLM0575
LeistungSchottkydiode

MOSFET Modul / Feldeffekt
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Eigenschaften

Typ
Feldeffekt
Technologie
Leistung
Weitere Eigenschaften
Schottkydiode
Strom

650 mA

Spannung

40 V

Beschreibung

BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMLM0575 ist ein Multi-Diskret-MOSFET Module™, der aus einem einzelnen N-Kanal-Erweiterungsmodus-MOSFET und einer Schottky-Diode mit niedriger VF besteht und in einem platzsparenden SOT-563-Gehäuse zur Oberflächenmontage untergebracht ist. Dieser Baustein ist für allgemeine Anwendungen mit kleinen Signalen ausgelegt, bei denen Größe und Betriebseffizienz oberste Priorität haben. MERKMALE: - Hochstrom-MOSFET (ID=650mA) - ESD-Schutz bis zu 2kV - MOSFET mit niedrigem rDS(ON) (275mΩ MAX @ VGS=2,5V) - Schottky-Diode mit niedriger VF (0,47V MAX @ 0,5A) ANWENDUNGEN: - DC-DC-Wandler - Boost-Konverter - Motorantriebssteuerungen - Batteriebetriebene tragbare Geräte

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Kataloge

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.