MBE-System / MBE DXLMBE-450

Das DXLMBE-450 ist ein Laser-Molekularstrahl-Epitaxie-(MBE)-System in Laborgröße zur Entwicklung und Kleinserienfertigung komplexer Dünnschichtmaterialien (optische Kristalle, ferroelektrische, ferromagnetische, supraleitende und organische Filme). Es unterstützt die Herstellung von Mehrschicht- und Supergitterstrukturen mit multi-elementaren, hochschmelzenden oder gashaltigen Komponenten unter präziser Prozess- und Zusammensetzungssteuerung.

Zusammensetzung

• Hauptvakuumkammer (Epitaxiekammer und Proben-Einschubkammer)
• Proben-Einschubmechanismus und Probentransportsystem
• Probenträger mit Substratheizung und Rotationsbaugruppe
• Rotierende Target-Plattform (Multi-Target, Target-Wechsel durch Rotation)
• Vakuumförder- und Messsysteme
• Elektrische Steuerung, Stromverteilung und PC-Steuerung

Anwendungen / Zusammenfassung
Entwickelt für wissenschaftliche Forschung und Kleinserienfertigung an Universitäten und Forschungseinrichtungen: geeignet für die Wachstumstechnik komplexer Mehrschichtfilme und Supergitter, die multi-elementare, hochschmelzende oder gashaltige Quellen und straffe Prozesskontrolle erfordern.

Technische Daten

• Modell: DXLMBE-450
• Hauptvakuumkammer: Kugelförmig, Ø450 mm
• Proben-Einschubkammer: Zylindrisch, horizontal, Ø150 × 300 mm
• Vakuumsystem-Konfiguration: Hauptkammer — mechanische Pumpe, molekulare Pumpe, Ionenpumpe, Sublimationspumpe, Ventile; Einschubkammer — mechanische Pumpe, molekulare Pumpe, Ventil
• Enddruck: Hauptkammer ≤ 5 × 10⁻⁸ Pa (nach Bake und Entgasung); Einschubkammer ≤ 5 × 10⁻³ Pa (nach Bake und Entgasung)
• Vakuumerholungszeit (bis 5 × 10⁻³ Pa): Haupt- und Einschubkammer — ≈20 min nach kurzer Luftbelastung (trockene Spülung vor Evakuierung)
• Rotierende Target-Plattform: max. Target Ø70 mm; bis zu 4 Targets; individuelle Rotation und Revolution möglich; Drehzahl 5–60 rpm
• Substrat-Heizplatte: Probendurchmesser Ø51 mm; kontinuierliche Rotation 5–60 rpm; maximale Substrattemperatur 800 °C ± 1 °C
• Gas-/Luftkreis: Massendurchflussregler 1 Kanal; Vollmetall-Winkelventil 1 Kanal
• Optional: RHEED-System (max. 25 kV, max. 100 μA) mit Intensitätsoszillation-/Wachstumsratenüberwachung (Kamera, Hardware und Software)
• Laserstrahl-Scanning: 2D-mechanische Scanning-Bühne
• Sauerstoffplasmagenerator und Netzteil: optional
• Computersteuerung: Automatisierung von Target-Revolution, Target-Rotation, Probenrotation, Temperaturregelung, Laser-Scanning und zugehörigen Funktionen
• Quadrupol-Massenspektrometer: Massebereich 1–100
• Stellfläche: Hauptgerät 1300 × 850 mm²; Schaltschrank 700 × 700 mm² (2 Stück)