Laser-Nachbeschichtung / für die Mikroelektronik DXP-450B

Übersicht

Das DXP-450B ist eine Laserbeschichtungsanlage zur Herstellung von supraleitenden Dünnfilmen, Halbleiterfilmen, ferroelektrischen Filmen und ähnlichen Dünnschichtmaterialien. Geeignet für Dünnschichtforschung und Kleinserienfertigung an Universitäten, Forschungsinstituten und F&E-Laboren.

Zusammensetzung

• Sputter-Vakuumkammer (sphärisch)
• Rotierende Zielplattform (Mehrfachziele)
• Antioxidative Substratheizplatte
• Arbeitsgaskreislauf und Spül-/Bleed-System
• Montagevorrichtung
• Vakuummess- und Überwachungssystem
• Elektrisches Steuerschrank und Steuerungselektronik
• Hilfskomponenten und Schnittstellen

Technische Daten

• Modell: DXP-450B
• Hauptvakuumkammer: sphärisch, Ø450 mm
• Vakuumsystem-Konfiguration: mechanische Pumpe + Molekularpumpe
• Enddruck: ≤ 6,67×10⁻⁶ Pa (nach Bake und Ausgasen)
• Vakuum-Wiederherstellung: erreicht 5×10⁻³ Pa innerhalb von ~20 Min (nach kurzzeitiger Luftbelastung, Trockenspülung und Evakuierung)
• Rotierende Zielplattform: Zielgröße Ø60 mm oder Ø25 mm; bis zu 4 Ziele montierbar; unabhängige Steuerung von Revolution und Rotation; Drehzahl 5–60 rpm
• Substratheizplatte — Probengröße: 2 Zoll
• Substratheizplatte — Bewegungsart: kontinuierliche Probenrotation; Drehzahl 5–60 rpm
• Substratheizung: max. Temperatur 800℃ ±1℃
• Gaskontrolle: Massendurchflussregler, 1 Kanal
• Laserstrahl-Scanning: zweidimensionaler mechanischer Scanningtisch (freie Zwei-Achsen-Scannung)
• Computersteuerung: integrierte Steuerung von Zielplattform, Zielrotation, Probenrotation, Temperatur und Laser-Scanning
• Aufstellfläche — Hauptgerät: 1500 × 900 mm²
• Aufstellfläche — Schaltschrank: 700 × 700 mm² (1 Satz)

Hauptspezifikationen

• Kammergeometrie: sphärisch Ø450 mm
• Vakuumpumpen: mechanisch + Molekularpumpe
• Endvakuum: ≤ 6,67×10⁻⁶ Pa (post Bake/Ausgasen)
• Wiederherstellung auf 5×10⁻³ Pa: ~20 Min (Standardverfahren)
• Zieloptionen: Ø60 mm oder Ø25 mm, bis zu 4 Ziele, 5–60 rpm
• Probentransport: 2-Zoll-Proben, kontinuierliche Rotation 5–60 rpm
• Substrat-Temperaturregelung: bis 800℃ ±1℃
• Gaszufuhr: ein-kanalige Massendurchflussregelung
• Laser-Scanning: 2D-mechanische Scanning-Bühne
• Systemsteuerung: PC-basierte integrierte Steuerung
• Aufstellfläche: Hauptgerät 1500×900 mm²; Schaltschrank 700×700 mm²

Typische Anwendungen

• F&E von supraleitenden, halbleitenden und ferroelektrischen Dünnfilmen
• Kleinserienprobenaufbereitung und Prototypenfertigung
• Materialuntersuchungen mit präziser Substratheizung und kontrollierten Gas-/Vakuumumgebungen
• Labormaßstäbliche Dünnschichtabscheidung und laserassistierte Beschichtungsexperimente