Die kontinuierliche Anlage zur Herstellung dünnschichtiger CIGS-Solarzellen wird für die Entwicklung und Kleinserienfertigung von dünnschichtigen Solarzellen auf Kupfer-, Indium-, Gallium- und Selenbasis eingesetzt.
Aufbau- Evaporations-/Beschichtungskammer für Kupfer, Indium, Gallium und Selen
- Sputterkammer für Molybdän
- Sputterkammer für Kupfer/Indium/Gallium
- ZnO-Sputterkammer
- Laser-Photoetching-Kammer
- Pufferkammer für elektrochemische Fertigung/Verarbeitung
- Proben-Einführkammer (manuell)
- Probenübergabekammer und Probenlager/-einrichtung
- Strahlquelle/Ofen
- Magnetisch gesteuertes Target und magnetisches Übergabemechanismus für Proben
- Probenheizeinheit und Probenwagen
- Vakuumpumpsystem, Vakuummesssystem
- Gaskreislaufsystem und elektrische Steuerung
Technische Daten- Enddruck der Beschichtungskammer: 6,6×10^-8 Pa
- Enddruck der Sputterkammer: 6,6×10^-5 Pa
- Proben-Einführkammer: manuell öffnen/schließen; Kapazität: bis zu 6 Proben
- Probensubstrat: Glas; typische Größe: 100 × 100 × 3 mm
- Probenkapazität der Sputterkammer: 1 Probe
- Probenhandhabung: Substrate können beheizt und im Vakuum manuell an die jeweiligen Stationen übergeben werden