Der Ofen zur Züchtung von Siliziumkarbidkristallen ist ein induktionsbeheiztes System, das zur Herstellung von Siliziumkarbid-Monokristallen mittels Physical Vapor Deposition (PVD) in einer inerten (Argon-)Atmosphäre ausgelegt ist. Er vereint Ofenhardware, Vakuum- und Gasführung, Induktionsheizung sowie computergesteuerte Automatik zur Durchführung stabiler, reproduzierbarer Wachstumsprozesse mit automatischer Prozessaufzeichnung.
Produktübersicht:- Hauptbaugruppen: Ofenkammerkomponenten, obere Ofenkammerkomponenten, Probenträgermechanismus, Übertragungsbestandteile der Temperaturmessfenster, Vakuumerfassungs- und Messsystem, Gassystem, Wassersystem, Induktionsheizsystem, Automatiksteuerungssystem.
Vakuumkammeraufbau:- Wachstumskammer: Quarzrohrkonstruktion mit oberen und unteren Dichtungsflanschen aus 316L-Edelstahl, oberflächenbehandelt; Abdichtung mittels importierter Fluorkautschukdichtung.
Abscheidungs- und Heizverfahren:- Induktive Erwärmung eines Graphit-Tiegels, der Karbidpulver enthält; Sublimation und Abscheidung auf einem Siliziumkarbid-Seed (PVD-Verfahren) in Argonatmosphäre.
Elektro-/Steuersystem:- Computergesteuertes System mit Touchscreen-Anzeige; Prozess gesteuert durch einen hochzuverlässigen programmierbaren Computer-Controller (PCC) mit vollautomatischer Steuerung und Prozessdatenaufzeichnung.
Zusätzliche Hinweise:- Aufbau und Betrieb der Anlage sind auf Stabilität ausgelegt und umfassen mehrere Schutzeinrichtungen; Massenstrom- und Temperaturregelung sind präzise.
Technische Daten:- Innendurchmesser der Quarzhöhle: 400 mm.
- Höhe der Quarzhöhle: 1100 mm.
- Gezüchteter Kristalldurchmesser: geeignet für 6 Zoll.
- Endvakuum (kalter Zustand, leerer Ofen): ≤ 6.6E-5 Pa.
- Vakuumleckrate des Systems (Quarzhöhle): ≤ 5.0×10-7 Pa·L/s.
- 12‑Stunden-Druckhalteindex (kalter leerer Ofen): ≤ 5 Pa.
- Probenmaß / Temperaturreferenz: 6 Zoll (Seed/Kristallgröße unterstützt).
- Empfohlene Installationsfläche: größer als 12 m²; Mindestraumhöhe: 4,5 m.
- Prozesssteuerung: programmierbarer Computer-Controller (PCC) mit Touchscreen und automatischer Kristallwachstumssteuerung (vollständige Prozessautomatisierung und Datenaufzeichnung).