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Sputter-Auftragsmaschine / mit Magnetron DXJ-560S
Metallisierung

Sputter-Auftragsmaschine / mit Magnetron - DXJ-560S - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - Metallisierung
Sputter-Auftragsmaschine / mit Magnetron - DXJ-560S - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - Metallisierung
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Eigenschaften

Merkmal
mit Magnetron
Anwendung
Metallisierung

Beschreibung

Übersicht

Die Magnetron‑Sputteranlage mit pyriformer Doppelkammer DXJ-560S ist eine kompakte Plattform für Forschung & Entwicklung sowie Kleinserienfertigung von Dünnschichten: nanoskalige Mono‑ und Multilayer, harte Schichten, Metall‑, Halbleiter‑ und Dielektrikschichten. Die Anlage kombiniert eine pyriforme Hauptsputterkammer mit mehreren Magnetron‑Targets, einen wassergekühlten rotierenden Substrathalter, Probeeinführkammer, Ofen für Tempern sowie komplette Vakuum-, Gas‑ und elektronische Steuersysteme.

Aufbau

  • Haupt‑Sputterkammer (pyriform)
  • Permanente Magnetron‑Targets (5 Targets, Ø60 mm)
  • Wassergekühlter rotierender Substrathalter (Drehteller), 6 Stationen
  • Probeeinschub‑/Lade‑Kammer und Probenkammer‑Module
  • Temperofen (Annealing) integriert
  • Backwash‑Target‑Modul
  • Magnetisches Probentransfersystem
  • Arbeitsgas‑Kreislauf mit Massendurchflussreglern
  • Vakuumpumpensystem (molekulare und mechanische Pumpen)
  • Installations-/Steuerschrank(e)
  • Vakuum‑Messung und elektronische Steuerung mit Computer‑Schnittstelle


Technische Daten

  • Modell: DXJ-560S
  • Hauptkammer: Pyriforme Sputterkammer, Ø560 × 350 mm
  • Probeeinschubkammer: Zylindrisch, horizontal, Ø250 × 420 mm
  • Vakuumkonfiguration: Unabhängige Molekular‑ und Mechanikpumpen für Haupt‑ und Probenkammer
  • Enddruck (nach Bake & Degassing): Hauptkammer 6.67×10^-6 Pa; Probenkammer ≤6.67×10^-4 Pa
  • Vakuum‑Wiederherstellungszeit (nach kurzer Luftbelüftung und Trocken‑Purge): Hauptkammer auf 6.6×10^-4 Pa in ~40 min; Probenkammer auf 6.6×10^-3 Pa in ~40 min
  • Magnetron‑Targets: Fünf permanente Targets Ø60 mm (ein Target für magnetische Materialien); RF‑ und DC‑Sputtern kompatibel; Ziel‑zu‑Substrat Abstand einstellbar 40–80 mm
  • Substrathalter: 6 Stationen (eine Station für Heizmodul), Aufnahme für Substrate Ø30 mm bis zu 6 Stück
  • Bewegungsart: Rotation 0–360° vorwärts/rückwärts
  • Substratheizung (Halter): Max. 600 ℃ ±1 ℃
  • Negativer Substrat‑Bias: −200 V
  • Gaskreislauf: Massendurchflussregler, 2 Kanäle
  • Probenkammer‑Module: Probenladeeinheit (6 Proben pro Ladezyklus), Temperofen (max. Substrattemp. 800 ℃ ±1 ℃), Backwash‑Modul
  • Magnetischer Transfer: Ermöglicht Transfer zwischen Sputter‑ und Probenkammer
  • PC‑Steuerung: Steuert Probenrotation, Klappen und Zielpositionsprüfung
  • Platzbedarf: Mainframe 2600 × 900 mm²
  • Steuerschränke: 700 × 700 mm² (2 Stück)


Anwendungen

  • Labor‑F&E für Dünnschichten und Multilayer‑Beschichtungen
  • Prototypenbau und Kleinserien für optische, elektronische, halbleiter‑ und Schutzschichten
  • Aufbringung harter Schichten, Metall‑, dielektrischer und magnetischer Filme


Optionen & Service

  • RF/DC Betriebsarten und Target‑Konfigurationen anpassbar
  • Andere Substratgrößen oder Halter auf Anfrage
  • Optionale Upgrades für Vakuum, Pumpen und Gasversorgung
  • Installation, Inbetriebnahme und Anwenderschulung verfügbar


Steuerung & Platzbedarf

  • Integrierte PC‑Steuerung für Prozessreproduzierbarkeit
  • Überwachung von Vakuum, Gasströmen und Substrattemperatur
  • Kompakte Stellfläche für Laborumgebungen; Mainframe 2600 × 900 mm²

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.