Multi-chip-Diebonder H3-DB20HF
vollautomatischfür die Halbleiterindustriefür Wafer

Multi-chip-Diebonder - H3-DB20HF - Suzhou Lieqi Intelligent Equipment Co., Ltd. - vollautomatisch / für die Halbleiterindustrie / für Wafer
Multi-chip-Diebonder - H3-DB20HF - Suzhou Lieqi Intelligent Equipment Co., Ltd. - vollautomatisch / für die Halbleiterindustrie / für Wafer
Multi-chip-Diebonder - H3-DB20HF - Suzhou Lieqi Intelligent Equipment Co., Ltd. - vollautomatisch / für die Halbleiterindustrie / für Wafer - Bild - 2
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Eigenschaften

Technologie
Multi-chip
Funktionsweise
vollautomatisch
Anwendung
für die Halbleiterindustrie, für Forschung und Entwicklung, für Wafer
Weitere Eigenschaften
Hochpräzision, konfigurierbar
Plaziergenauigkeit

Max: 7 µm

Min: 3 µm

Beschreibung

H3-DB20HF ist ein vollautomatisches Vor-Sinter-Platziergerät, das für F&E-Tests und die Massenproduktion von SiC-Modulen entwickelt wurde. Die Maschine verfügt über ein modulares Design mit standardisierten Flusslinien, die in Serie geschaltet und an spezifische Produktionsanforderungen angepasst werden können.

Hauptfunktionen
  • Vorheizung
  • Vorpressung (Vorladen)
  • Düsenheizung
  • Hochdruck-Platzierung


Konstruktionsmerkmale
  • Modulares Design, das das Hintereinanderschalten standardisierter Flusslinien ermöglicht
  • Geeignet für F&E-Tests und Serienproduktion von SiC-Modulen
  • Unterstützt Multichip-Handhabung mit flexiblem Wechsel der Aufnahmewerkzeuge


Anwendungsbereiche
  • Photonik
  • Leistungsgeräte
  • Mikrowellen-RF-Gerätebereich
  • Bereich neuer Energiefahrzeuge


Technische Parameter (Kurzfassung)
  • Front-/Back-Referenzmontage — Montageverfahren
  • Heißpressmontage — Montageprozess umfasst Silberfilm-Druck und Silberfilm-Transfer
  • Anwendungsszenarien — SiC-Module


Eigenschaften / Technische Spezifikationen
  • Montagegenauigkeit: ±3 μm (Standardplatte); ±7 μm (abhängig von der Anwendung)
  • Anlageneffizienz: UPH ≈ 1000 (abhängig von der Anwendung)
  • Multichip-Fähigkeit: bis zu 5 verschiedene Aufnahmewerkzeuge; feste Bewegung mit flexiblem Wechsel
  • Legierungsheizung: elektrische Heizung, thermostatisch geregelt, maximale Heiztemperatur 250°C
  • Materialkompatibilität: 2" GEL-PAK, 12" Wafer-Rahmen
  • Bonding-Genauigkeit: ±5 μm @ 3σ Platziergenauigkeit; ±0.1° @ 3σ Drehgenauigkeit
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.