Laser-Schneidemaschine RM-LS-SiC-1200

für monokristallines Siliziumfür Waferfür die Halbleiterindustrie

Durch den Einsatz halbtransparenter Bandlaser, die präzise auf das Innere des Ingots fokussiert werden, entsteht durch den Multiphotonen-Effekt eine gleichmäßige Modifikationsschicht, die eine kontrollierbare Ausbreitung von Mikrorissen induziert. Anschließend folgt ein ultraschallunterstützter Lift-off-Prozess, um das vollständige Ablösen des gesamten Substrats zu erreichen. Die Anlage kann das Ablösen von SiC-Blöcken und das präzise Ausdünnen von Wafern effizient durchführen und ist gleichzeitig für das Ablösen von harten und spröden Kristallmaterialien wie GaN und Diamant geeignet. Sie zeichnet sich durch extrem geringe Ablöseverluste, hohe Ebenheit, keine mechanische Beanspruchung und hohe Effizienz in der Massenproduktion aus, was sie zu einer zentralen Anlage für die Massenproduktion von Leistungshalbleiterbauelementen mit großer Bandlücke macht.* Geeignet für 8/12 Zoll Eigenentwickeltes Kernmodul Kernalgorithmen und -strukturen für Fokusverfolgung, Lichtfeldsteuerung und geführte Waferaufnahme. Geringer Materialverlust Gesamtverlust nach dem Schleifen von nur 100 µm (8 Zoll, leitfähig). Hohe Bearbeitungseffizienz Hohe Bearbeitungseffizienz: 15 min/Wafer. Integrierte Lösung Lösung, die Lasermodifikation + ultraschallunterstützte Trennung + automatische Waferaufnahme + AOI integriert.