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Kammerofen KristallwachstumelektrischEdelgas
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Eigenschaften
- Konfigurierung
- Kammer
- Funktion
- Kristallwachstum
- Wärmequelle
- elektrisch
- Atmosphäre
- Edelgas
Beschreibung
Die Anlage kann Siliziummaterialien über einen Graphit-Widerstandsheizer in einer inerten Atmosphäre schmelzen und anschließend automatisch mittels des CZ-Verfahrens versetzungsfreie Silizium-Einkristallblöcke (für Siliziumkomponenten) züchten. Sie ist für 24-Zoll-Blöcke geeignet und mit einem supraleitenden Magnetfeld kompatibel.
Durchmesser der Ziehkammer
650 mm
Geeignet für die Herstellung extrem großer Blöcke
26'
Große Abmessungen, hohe Qualität
Hochpräzises Steuerungssystem
Ausgeklügeltes Überwachungs- und Rückkopplungssystem & Optionales Magnetfeld & Geeignet für die Herstellung von 26' großen Blöcken, die für Siliziumkomponenten verwendet werden
Hochpräzise Steuerung
Die präzise Steuerung und der langfristig stabile Betrieb der Anlage werden durch ein umfassendes Magnetfeld-Steuerungssystem, ein brandneues Software-Steuerungssystem, ein Bildverarbeitungssystem und ein ultrapräzises Getriebesystem gewährleistet.
Große Abmessungen
Unterstützt alle gängigen Ingot-Größen auf dem Markt, wobei die größte Größe bis zu 26' beträgt.
Anpassbar
Wir bieten maßgeschneiderte Produkte an, indem wir Lösungen für die Heizzonenstruktur, die Magnetfeldkonfiguration und weitere Aspekte entwickeln, um den unterschiedlichen Anforderungen unserer Kunden gerecht zu werden.
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Semiconductor
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.