Kammerofen

Kristallwachstumautomatisch

Der SiC-Kristallzüchtungsofen ermöglicht es, Siliziumkarbid-Materialien unter einer bestimmten Atmosphäre einem Transport in der Gasphase, chemischen Reaktionen usw. zu unterziehen, um schließlich einen hochwertigen SiC-Einkristall-Siliziumblock auf einem Keimkristall zu züchten. Größe 6 Zoll/8 Zoll Konvexität während des Kristallwachstums 1–3 mm Hochpräzises intelligentes Steuerungssystem, maßgeschneiderter Service Mehrzonen-Präzisionssteuerung Nutzung des intelligenten Steuerungssystems zur zentralen Fernsteuerung Hohe Leistung, hohe Stabilität und optimale Raumnutzung Maßgeschneiderte Lösungen verfügbar Der Kristallzüchtungsofen für Siliziummaterialien ist eine entscheidende Anlage für die Züchtung hochreiner, hochwertiger Mono-Si-Blöcke. Er nutzt in der Regel das Czochralski-Verfahren zur Züchtung von Mono-Si-Blöcken. Dabei werden die Siliziummaterialien über einen Graphitheizer in einer inerten Atmosphäre geschmolzen, und anschließend wird der Keimkern in die Siliziumschmelze eingetaucht. Durch die präzise Steuerung der Hub- und Drehgeschwindigkeit des Keils sowie des Tiegels werden die Siliziumatome geordnet und schichtweise auf dem Keil angeordnet, wodurch versetzungsfreie Mono-Si-Blöcke gezüchtet werden. Die Anlage zeichnet sich durch technische Vorteile wie eine Konstruktion mit großem Durchmesser, präzise Temperaturregelung und automatische Steuerung aus; der Durchmesser der gezüchteten Blöcke reicht von Φ360 bis Φ600 mm bei einer Mindestlänge von 2 m. Professionelle Simulationssoftware Mit STR, einer professionellen Simulationssoftware, wird der gesamte Wachstumszyklus von SiC-Blöcken simuliert, um den Kunden umfassende Wachstumslösungen anzubieten. Intelligente Steuerung Durch den Einsatz eines intelligenten Steuerungssystems wird eine ferngesteuerte, zentralisierte Steuerung ermöglicht. Anpassbar Je nach Bedarf werden maßgeschneiderte Heizverfahren (Widerstandsheizung/Induktionserwärmung) angeboten.