Wolfram-Sputtertarget

Produktbeschreibung

• Wolframschichten werden im Magnetronsputterverfahren (PVD) erzeugt und dienen als Funktionsschichten in TFT-LCD-Bildschirmen, in der Mikroelektronik (z. B. für SAW- und BAW-Filter) sowie als Diffusionsbarrieren (z. B. Wolframnitrid), als Leiterbahnen und für reaktiv gesputterte transparente Schichten (Wolframoxid) bei OLED-Displays und elektrochromen Anwendungen.

Vorteile

• Hohe Reinheit > 99,97 % (typisch 99,99 %; für Halbleiteranwendungen bis 99,999 % / 5N)
• Maximale Dichte > 99,5 %
• Homogene Mikrostruktur
• Anwendungsoptimierte Textur
• Kompetenzzentrum für neue Beschichtungslösungen

Herstellungs- und Einsatzprinzip
Im Magnetronsputterverfahren werden Metallatome vom Sputtertarget gelöst und als dünne Schicht auf dem Substrat abgeschieden. Das Verfahren ist kostengünstig und schnell, erfordert jedoch, dass Materialien und Targets höchsten Qualitätsanforderungen genügen, um z. B. Partikelbildung (Arcing) zu vermeiden und homogene Schichten sowie konstante Abtragsraten zu erzielen.

Produktions- und Lieferkette / Entwicklung
Plansee verfügt über die komplette Wertschöpfungskette: von pulvermetallurgischer Verarbeitung über Pressen, Sintern, Warmumformung (z. B. Flachtargets), Rohrtarget-Umformverfahren bis hin zur mechanischen Endbearbeitung und finalem Bonding in lokalen Bondingshops. Die Gruppe deckt Rohstoffaufbereitung und Pulverherstellung sowie die Produktion von Halbzeugen und kundenspezifischen Komponenten ab. Entwicklungsaktivitäten beinhalten die Zusammenarbeit mit Anlagenherstellern und Forschungspartnern zur schnellen Entwicklung optimierter Schichtsysteme.

Prozesskette / relevante Fertigungsschritte

• Oxidation
• Reduktion
• Mischen / Legieren
• Pressen
• Sintern
• Wärmebehandlung
• Umformen
• Mechanische Bearbeitung
• Bonding
• Qualitätssicherung
• Recycling

Anwendungs-Highlights

• Dünnfilmtransistoren in TFT-LCD für große Formate und hohe Bildqualität
• Mikroelektronische Schichten (Frequenzfilter, Leiterbahnen)
• Diffusionsbarrieren (z. B. Wolframnitrid)
• Reaktiv gesputterte Wolframoxide für OLED- und elektrochrome Anwendungen

Caractéristiques / spécifications techniques

• Reinheit: garantiert ≥ 99,97 % (typisch 99,99 %; für Halbleiteranwendungen ≥ 99,999 %)
• Dichte: typ. > 99,5 %
• Mikrostruktur: homogen einstellbar für gleichmäßige Abtragsraten
• Textur: anwendungsoptimiert für konstante Beschichtungseigenschaften
• Formate: Flachtargets und Rohrtargets (hergestellte Zieltypen durch Verarbeitungsschritte: Warmwalzen, Umformen, Bonding)