Sputtertarget / kathodisch / aus Tungsten WTi

kathodisch / Titan

Kurzbeschreibung
WTi (Wolfram‑Titan) verbindet die hohe Dichte von Wolfram mit der Haftung und Korrosionsbeständigkeit von Titan. Typische Zusammensetzung: ca. 10 Gew.-% Ti. WTi dient als Diffusionsbarriere und Haftvermittler in Dünnschicht‑PVD‑Prozessen und verhindert die Diffusion fremder Atome zwischen Funktionsebenen.

Ihre Vorteile

• Reinheit: > 99,95 % (Option bis 99,99 % für Halbleiteranwendungen)
• Hohe Dichte: ≥ 98 %
• Homogene Mikrostruktur und Titanverteilung
• Hohe Sputtergeschwindigkeiten dank maximaler Materialdichte
• Niedrige Partikelbildung beim Beschichten

Anwendungsgebiete
WTi (typisch ≈ 10 Gew.-% Ti) wird als Diffusionsbarriere und Haftvermittler in der Halbleiter‑Metallisierung eingesetzt (z. B. Trennung von Al oder Cu vom Si). In flexiblen CIGS‑Dünnschichtzellen verhindert eine WTi‑Barriere die Diffusion von Fe aus Stahlsubstraten über den Mo‑Backkontakt in das Halbleitermaterial und schützt so die Effizienz auch bei Spurenverunreinigungen. WTi eignet sich außerdem für PVD‑Prozesse mit hohen Anforderungen an Partikelarmut und Abschmelzgeschwindigkeit.

Formatvielfalt und Lieferung
Plansee stellt WTi‑Targets mittels pulvermetallurgischer Verfahren her. Lieferbar sind Flach‑ und Rohrtargets in verschiedenen Größen — übliche Maximaldurchmesser bis zu 450 mm, abhängig von Konfiguration und Kundenanforderung.

Produktion & Qualitätssicherung
Plansee kontrolliert die gesamte Produktionskette: Pulvermischen, Pressen, Sintern, Bearbeiten und Bonden. Prozessüberwachung sichert konstante Dichte, Reinheit und Mikrostruktur. Garantierte Mindestreinheit typischerweise 99,95 % (3N5); 99,99 % (4N) verfügbar für Halbleiteranwendungen. Hohe Dichte und Reinheit reduzieren Partikelbildung und verbessern Beschichtungsergebnisse.

Forschung & Veröffentlichungen

• Studien zu Partikelkontamination und Nodule‑Bildung in W–Ti‑Schichten, die Targeteigenschaften mit Partikelbildung beim Sputterprozess verknüpfen.
• Publikationen zu Vorteilen der Pulvermetallurgie für die Herstellung von Sputtertargets.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Materialsystem: WTi (Ti typisch ≈ 10 Gew.-%)
• Dichte: ≥ 98 %
• Reinheit: > 99,95 % (Optionen bis 99,99 % für Halbleiter)
• Titangehalt: ≈ 10 Gew.-%
• Homogenität der Titanverteilung: ± 0,5 %
• Mikrostruktur: feinkörnig, < 50 µm Korngröße
• Formate: Flach‑ und Rohrtargets; Durchmesser bis 450 mm
• Herstellung: Pulvermetallurgie (Mischen, Pressen, Sintern, Bearbeitung, Bonden)