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Strom: 20 A
Spannung: 650 V
... GNP1070TC-Z ist ein 650-V-GaN-HEMT, der die höchste FOM-Klasse (Ron*Ciss、Ron*Coss) der Branche erreicht hat. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™-Serie, das zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt, indem ...
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 40 V
... Der HP8KB6 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 40 V
... Der HP8KB7 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 23 A
Spannung: 60 V
... Der HP8KC6 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 60 V
... Der HP8KC7 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. Merkmale: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 17 A
Spannung: 100 V
... Der HP8KE6 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 24 A
Spannung: 100 V
... Der HP8KE7 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 16,5 A
Spannung: 40 V
... Der HP8MB5 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 12 A
Spannung: 60 V
... Der HP8MC5 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
Strom: 12 A
Spannung: 40 V
... Der HT8KB5 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Hochleistungs-Gehäuse in kleiner Bauform (HSMT8) ♦Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei ...
ROHM Semiconductor
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