Silizium-Transistoren

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MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
SCT4018KE

Strom: 81 A
Spannung: 1.200 V

... SCT4018KE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum geringen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen Durchlasswiderstand erreicht, ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
SCT4026DW7

Strom: 51 A
Spannung: 750 V

... Der SCT4026DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
SCT4018KW7

Strom: 75 A
Spannung: 1.200 V

... SCT4018KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM Diese ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
SCT4045DW7

Strom: 31 A
Spannung: 750 V

... Der SCT4045DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
SCT4062KW7

Strom: 24 A
Spannung: 1.200 V

... Der SCT4062KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation Diese ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
SCT4013DW7

Strom: 98 A
Spannung: 750 V

... SCT4013DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile der 4. Generation der SiC-MOSFETs von ROHM Diese ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
SCT4045DRHR

Strom: 34 A
Spannung: 750 V

... AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4045DRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
SCT4045DW7HR

Strom: 31 A
Spannung: 750 V

... AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4045DW7HR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
SCT4062KRHR

Strom: 26 A
Spannung: 1.200 V

... AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4062KRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
MOSFET-Transistormodul
SCT4062KW7HR

Strom: 24 A
Spannung: 1.200 V

... AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4062KW7HR ist ein SiC (Siliziumkarbid)-Graben-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Vorteile ...

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ROHM Semiconductor
NPN-Transistor
NPN-Transistor
KSP10 series

Spannung: 60 V

... NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor Anwendungen Dieses Produkt ist universell einsetzbar und eignet sich für viele verschiedene Anwendungen. ...

NPN-Transistor
NPN-Transistor
HD1750FX

Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V

... Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz auf und bringt eine aktualisierte Leistung für die Horizontalablenkungsstufe. Alle ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BCX51

Spannung: 45 V

... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...

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Central Semiconductor
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
CMPT5086

Spannung: 50 V

... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBLEITER CMPT5086, CMPT5086B und CMPT5087 sind Silizium-PNP-Transistoren hergestellt nach dem epitaktischen Planarverfahren, Epoxidharz geformt in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse, konzipiert ...

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Central Semiconductor
NPN-Transistor
NPN-Transistor
BCV47

Spannung: 60 V

... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington-Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen ...

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Central Semiconductor
NPN-Transistor
NPN-Transistor
CMLT3820

Spannung: 60 V

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Central Semiconductor
FET-Transistor
FET-Transistor
CMPFJ175

... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODES CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...

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Central Semiconductor
FET-Transistor
FET-Transistor
CMPFJ176

Spannung: 30 V

... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidharzgeformte P-Kanal-JFETs hergestellt in einem SOT-23-Gehäuse, das für Low-Level-Verstärkeranwendungen ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODES CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...

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Central Semiconductor
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
CMPP6027

Spannung: 40 V

... BESCHREIBUNG: Die ZENTRALHALBKONTROLLEUREN CMPP6027 und CMPP6028 sind programmierbare Silizium-Unijunction-Transistoren, die in einem oberflächenmontierbaren SOT-23-Gehäuse hergestellt werden und für einstellbare (programmierbare) ...

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Central Semiconductor
NPN-Transistor
NPN-Transistor
CMLM0405

Strom: 200 mA
Spannung: 40 V

... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMLM0405 ist ein einzelner NPN-Transistor und eine Schottky-Diode im Gehäuse ein platzsparendes SOT-563-Gehäuse und wurde für allgemeine Anwendungen mit kleinen Signalen entwickelt, ...

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Central Semiconductor
NPN-Transistor
NPN-Transistor
CTLM1034-M832D

Strom: 1 A
Spannung: 25, 40, 6 V

... Mobiltelefone, Digitalkameras, Pager, PDAs, Notebook-PCs usw. MERKMALE - Dual-Chip-Gerät - Hochstrom (1,0A) Transistor und Schottky-Gleichrichter - NPN-Transistor mit niedrigem VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A ...

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Central Semiconductor
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor

Strom: 1 A - 5 A
Spannung: 12 V - 400 V

... spezielle Lösungen zu entwickeln, die auf die Kundenbedürfnisse zugeschnitten sind, und die Vorteile der außergewöhnlichen Transistor-Die-Leistung mit dem Know-how des Diodengehäuses zu kombinieren. ...

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Diodes Incorporated
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
FMMT, ZTX series

Spannung: 50, 100 V

... Der FMMT413 ist ein NPN-Silizium-Planar-Bipolartransistor, der für den Lawinenbetrieb optimiert ist. Strenge Prozesskontrolle und induktionsarme Verpackung ergeben zusammen hohe Stromimpulse mit schnellen Kanten, ideal ...

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Diodes Incorporated
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