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FET-Transistor CMPFJ175Silizium
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Eigenschaften
- Typ
- FET
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
- Strom
50 mA
- Spannung
30 V
Beschreibung
Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidvergossene P-Kanal-JFETs
im SOT-23-Gehäuse, die für Low-Level-Verstärkeranwendungen entwickelt wurden.
KENNZEICHNUNGSCODES:
CMPFJ175: 6W
CMPFJ176: 6X
CMPFJ177: 6Y
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Kataloge
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