NPN-Transistor CTLM1034-M832D
LeistungSiliziumSchottkydiode

NPN-Transistor - CTLM1034-M832D - Central Semiconductor - Leistung / Silizium / Schottkydiode
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Eigenschaften

Typ
NPN
Technologie
Leistung
Weitere Eigenschaften
Silizium, Schottkydiode
Strom

1 A

Spannung

6 V, 25 V, 40 V

Beschreibung

Der CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM1034-832D besteht aus einem NPN-Transistor mit niedriger VCE(SAT) und einem Schottky-Gleichrichter mit niedriger VF. Er ist in einem kleinen, thermisch effizienten, bleifreien 3x2mm-Gehäuse zur Oberflächenmontage untergebracht und wurde für Anwendungen entwickelt, bei denen geringe Größe, Betriebseffizienz und niedriger Energieverbrauch die Hauptanforderungen sind. Aufgrund seines bleifreien Gehäusedesigns kann dieser Baustein bis zu viermal mehr Leistung abführen als ähnliche Bausteine in vergleichbar großen oberflächenmontierten Gehäusen. MARKIERUNGSCODE: CFC ANWENDUNGEN - Schaltkreise - DC/DC-Wandler - LCD-Hintergrundbeleuchtungen - Batteriebetriebene / tragbare Geräte wie Mobiltelefone, Digitalkameras, Pager, PDAs, Notebook-PCs usw. MERKMALE - Zwei-Chip-Gerät - Hochstromtransistor (1,0A) und Schottky-Gleichrichter - NPN-Transistor mit niedriger VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A MAX) - Nieder-VF-Schottky-Gleichrichter (550mV @ 1,0A MAX) - Hohes Power-to-Footprint-Verhältnis von 275 mW pro mm² (Gehäuseverlustleistung/Gehäusefläche) - Kleines TLM-Gehäuse (3x2 mm) für bleifreie Oberflächenmontage - Komplementäres Bauteil: CTLM1074-M832D

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.