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... GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen. ...
Strom: 50 mA
Spannung: 30 V
... Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 und CMPFJ176 sind epoxidvergossene P-Kanal-JFETs im SOT-23-Gehäuse, die für Low-Level-Verstärkeranwendungen entwickelt wurden. KENNZEICHNUNGSCODES: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: 6Y ...
... Mit extrem rauscharmem PHEMT. Der Prozess ist optimiert, um einen sehr niedrigen Rauschwert für kritische Mobilfunk-/PCS-Basisstationen und andere drahtlose HF-Anwendungen, eine hohe Teile-zu-Teil-Konsistenz und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit zu ...
Broadcom
... ATF-35143 ist ein PHEMT mit hohem Dynamikbereich und geringem Rauschen, das in einem 4-poligen SC-70 Oberflächenmontage-Kunststoffgehäuse untergebracht ist. ...
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... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...
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