Geräuscharme Transistoren

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FET-Transistor
FET-Transistor

... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...

FET-Transistor
FET-Transistor
ATF-33143

... Mit extrem rauscharmem PHEMT. Der Prozess ist optimiert, um einen sehr niedrigen Rauschwert für kritische Mobilfunk-/PCS-Basisstationen und andere drahtlose HF-Anwendungen, eine hohe Teile-zu-Teil-Konsistenz und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit ...

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FET-Transistor
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ATF-35143

... ATF-35143 ist ein PHEMT mit hohem Dynamikbereich und geringem Rauschen, das in einem 4-poligen SC-70 Oberflächenmontage-Kunststoffgehäuse untergebracht ist. ...

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FET-Transistor
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ATF-511P8

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MOSFET-Transistormodul
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R6504END3

Strom: 4 A
Spannung: 650 V

Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des ...

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R6002ENH

Strom: 1,7 A
Spannung: 600 V

Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des ...

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MOSFET-Transistor
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R6076ENZ4

Strom: 76 A
Spannung: 600 V

Der R6076ENZ4 ist ein Leistungs-MOSFET für Schaltanwendungen.

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MOSFET-Transistormodul
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R6004END3

Strom: 4 A
Spannung: 600 V

... Der Leistungs-MOSFET R6004END3 ist für Schaltnetzteile geeignet. Niedriger Einschaltwiderstand Geringes Strahlungsrauschen Schnelles Schalten Parallele Verwendung ist einfach Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform ...

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MOSFET-Transistor
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R6511ENX

Strom: 11 A
Spannung: 650 V

Der R6511ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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MOSFET-Transistormodul
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R6511ENJ

Strom: 11 A
Spannung: 650 V

Der R6511ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul
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R6524ENJ

Strom: 24 A
Spannung: 650 V

Der R6524ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
R6530ENX

Strom: 30 A
Spannung: 650 V

Der R6530ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit für Schaltanwendungen.

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ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistor
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R6004ENX

Strom: 4 A
Spannung: 600 V

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, ...

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MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
R6030ENX

Strom: 30 A
Spannung: 600 V

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, ...

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bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
CMPT5086

Spannung: 50 V

... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBLEITER CMPT5086, CMPT5086B und CMPT5087 sind Silizium-PNP-Transistoren hergestellt nach dem epitaktischen Planarverfahren, Epoxidharz geformt in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse, konzipiert für anwendungen, ...

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