Vakuumdurchführung

hermetisch abgedichtetEMV-geschirmtfür Schweißanwendungen

Übersicht
Die geschirmte Hochspannungs-Vakuumdurchführung von Innovacera ist eine durch die Wand führende Elektrode, entwickelt für die zuverlässige Übertragung von Hochspannung in Vakuumkammern bei gleichzeitiger keramisch‑metallischer Hermetik. Ein integriertes geerdetes Schild unterdrückt Hochspannungsfeld‑Störungen und verringert Leck- sowie Durchschlagsrisiken in anspruchsvollen Vakuum- und Präzisions-HV-Anwendungen.

Hauptmerkmale

• Integriertes geerdetes Schild zur EMI-Unterdrückung und Isolation von Hochspannungsfeldern
• Elektrische Nennwerte: 5 kV DC / 3,6 A
• Schweißbares Gehäuse aus 304-Edelstahl für permanente Befestigung an der Kammerwand
• Kermik-zu‑Metall hermetische Dichtung
• Option: geschweißte, steckerlose Bauweise
• Ausgelegt zur Minimierung von Leckagen und Verhinderung elektrischer Durchschläge in Vakuumumgebungen

Materialien (verfügbare Optionen)

• Aluminiumoxid (Al2O3)
• Aluminiumoxid‑Nitride (AlN)
• Zirkonia (ZrO2)
• Boronit (BN)
• Siliziumkarbid (SiC)
• Siliziumnitrid (Si3N4)
• Poröse Keramiken
• Zerspanbare Glaskeramiken
• Zirkonia‑verstärkte Aluminiumoxidkeramik (ZTA)

Anwendungen

• Halbleiter-Prozessanlagen
• Massenspektrometer
• Ultra‑Hochvakuum (UHV) Systeme
• Optik‑ und Photonik‑Instrumente
• Elektrische und elektronische Prüfgeräte
• Energiesysteme mit Bedarf an HV‑Durchführungen
• Medizinische und Life‑Science‑Instrumente
• Forschungs‑ und Laborvakuumapparate
• Andere präzise Hochspannungs‑Vakuumausrüstungen

Häufig genannte Funktionspunkte

• Das schweißbare 304‑Edelstahlgehäuse ermöglicht direktes Verschweißen an der Kammerwand für eine dauerhafte UHV‑Hermetik
• Das geerdete Schild reduziert das Leckagerisiko und senkt die Wahrscheinlichkeit von Durchschlägen unter Hochspannungs‑Vakuumbedingungen

Technische Daten

• Elektrische Nennwerte: 5 kV DC, 3,6 A
• Gehäusematerial: 304‑Edelstahl (schweißbar)
• Dichtung: Keramik‑zu‑Metall hermetische Dichtung
• Struktur: geschweißt, Option steckerlose Bauweise verfügbar
• Maximale Druckbelastung (Standfestigkeit): 1400 PSIG @ 20°C
• Betriebstemperatur (steckerlose Konfiguration): -269°C bis 450°C
• Betriebstemperatur (mit Stecker): -65°C bis 165°C
• Hauptvorteile: EMI‑Unterdrückung, Isolation von HV‑Feldern, minimierte Leckagen, Verhinderung elektrischer Durchschläge
• Typische Einsatzumgebungen: Vakuumkammern, UHV‑Systeme, Halbleiter‑Prozessanlagen, Massenspektrometer