Verpackung für Telefonleitung

für Industrieanwendungenfür die Elektronikindustriefür elektrische Ausrüstung

Beschreibung
Hermetische optoelektronische Gehäuse bieten eine versiegelte mechanische und thermische Schnittstelle für photonische und optoelektronische Bauteile. Wir liefern Komplettlösungen von Design und Prototyping bis zu Pilotserien und Massenproduktion, mit wählbaren Metall-, HTCC‑ und LTCC‑Gehäusen zur Erfüllung optischer, thermischer und umweltbedingter Anforderungen in Telekommunikation, LiDAR, medizinischer Bildgebung und Leistungselektronik.

Produkte

• Metallgehäuse
• Metallgehäuse verwenden Glas‑Metall‑ und Keramik‑Metall‑Schnittstellen zur Bildung gasdichter Hüllen, die die Chip‑Umgebung stabilisieren und eine effiziente Wärmeabfuhr ermöglichen. Sie schützen vor Feuchtigkeit, Temperaturschwankungen und korrosiven Umgebungen. Typische Einsatzgebiete: Basisstationsradarmodule, elektronische Gegenmaßnahmen, Mess‑ und Regelgeräte sowie Signaleinspeisungen.

Technische Vorteile (Metallgehäuse)

• Kompatible Werkstoffe: Kovar, Baustahl, Edelstahl, Wolfram‑Kupfer, Aluminiumlegierungen
• Unterstützte Schweiß-/Dichtverfahren: Energiespeicher‑Schweißen, Parallelnahtschweißen, Zinnlöten, Laserdichtschweißen
• Isolationswiderstand ≥ 5000 MΩ (gemessen bei 500 V DC)
• Gasdichtigkeit (He): R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• Salznebelbeständigkeit: konfigurierbar für 24 h / 48 h / 72 h Korrosionsprüfungen
• Vollständige Industrie‑Kette von F&E und Design bis Produktion; kundenspezifische Leistungen

Produktmodelle

• Gehäuse für Signalverarbeitungsgeräte
• Gehäuse für Leistungsmodul‑Packages
• Gehäuse für Motorantriebe und PWM‑Packages
• Kermikgehäuse für diskrete Halbleiterbauelemente
• Replay‑Gehäuse
• Deckel und Kappen
• Leistungs‑Surface‑Mount‑Packages

HTCC‑Keramikgehäuse

• Ceramic Dual In-line Package (CDIP)
• Ceramic Flat Pack / Ceramic Quad Flat Pack (CFP / CQFP)
• Ceramic Quad Flat Non-leaded Package (CQFN)
• Ceramic Pin Grid Array (CPGA)
• Ceramic Small Outline Package (CSOP)
• Ceramic Leadless Chip Carrier (CLCC)

Technische Vorteile (HTCC)

• Selbstgesteuerter Galvanisierungsprozess
• Fortschrittliche Design‑ und Simulationstechniken zur Optimierung von Gehäuse/Substrat‑Struktur, Leiterführung, thermischem Verhalten und Zuverlässigkeit
• Komplette Industrie‑Kette mit kundenspezifischen Optionen

LTCC‑Keramikgehäuse
LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) kombiniert Aluminiumoxid und Glas mit hochleitfähigen Leiterpasten (Gold, Silber, Kupfer), die bei ~850–900°C gesintert werden. LTCC‑Gehäuse eignen sich für RF, Mikrowellen und Millimeterwellenpackaging wegen niedriger Leitwerts‑Resistivität und kleiner Dielektrizitätskonstante.

Technische Vorteile (LTCC)

• Minimale Leiterbreite/Abstand: 100 µm
• Minimale Via/Apertur: 100 µm
• Minimale Lochabstände: 2,5 × aperture
• Bis zu 40 funktionale Lagen
• Produktklassen: hochfrequenz, verlustarm und hochfest

Materialsystem
Basiswerkstoff‑Eigenschaften

• Eisen‑Nickel‑Kobalt‑Legierung | 4J29 | Dichte 8,2 g/cm³ | CTE 5,3 ×10⁻⁶/°C (20–300°C) | TC 17 W/m·K
• Nickel‑Eisen‑Legierung | 4J42 | Dichte 7,12 g/cm³ | CTE 4,8 ×10⁻⁶/°C | TC 13 W/m·K
• Unlegierter Kohlenstoffstahl | 10# | Dichte 7,8 g/cm³ | CTE 13,0 ×10⁻⁶/°C | TC 46 W/m·K
• OFHC (TU1) | TU1 | Dichte 8,9 g/cm³ | CTE 17,6 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 390 W/m·K
• W/Cu | WCu85/15 | Dichte 16,4 g/cm³ | CTE 7,2 ×10⁻⁶/°C | TC ≈ 180 W/m·K
• Edelstahl | 304 / 316 | Dichte 7,93 / 7,98 g/cm³ | CTE 17,2 / 20 ×10⁻⁶/°C | TC 16 / 16,29 W/m·K

Pin‑Materialeigenschaften

• Eisen‑Nickel‑Kobalt‑Legierung | 4J29 | Widerstand 48 µΩ·cm | CTE 5,3 ×10⁻⁶/°C
• Nickel‑Eisen‑Legierung | 4J50 | Widerstand 43 µΩ·cm | CTE 9,5 ×10⁻⁶/°C
• Cu‑kern 52 Legierung | 4J50 | Widerstand 12 µΩ·cm | CTE 11,5 ×10⁻⁶/°C
• Kupferlegierung (Tul) | Tul | Widerstand 1,7 µΩ·cm | CTE 17,6 ×10⁻⁶/°C

Typische Anwendungen

• TO‑Gehäuse für Hochleistungs‑Laser
• Versiegelung von Relais in der Automobiltechnik
• Gehäuse für diskrete Halbleiter
• Mehrlagige Keramiksubstrate
• Leistungs‑SMD‑Pakete
• Optische Kommunikation: hermetische Versiegelung von 400G‑Transceivern
• Automotive‑Elektronik: Verpackung von LiDAR‑Emitter für autonomes Fahren
• Neue Energien: Isolierte Anschlüsse für Battery Management Systems (BMS)

Technische Daten

• Isolationswiderstand: ≥ 5000 MΩ (gemessen bei 500 V DC)
• Gasdichtigkeit (Helium): R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• Salznebel‑Korrosionsbeständigkeit: konfigurierbar für 24 h / 48 h / 72 h Tests
• Unterstützte Materialien für Metallgehäuse: Kovar, Baustahl, Edelstahl, Wolfram‑Kupfer, Aluminiumlegierung
• Unterstützte Schweiß-/Dichtverfahren: Energiespeicher‑Schweißen, Parallelnahtschweißen, Zinnlöten, Laserdichtschweißen
• HTCC‑Typen: CDIP, CFP/CQFP, CQFN, CPGA, CSOP, CLCC
• LTCC‑Fähigkeiten: min Spur/Abstand 100 µm, min Via/Apertur 100 µm, min Lochabstand 2,5×aperture, bis zu 40 Lagen, Produktoptionen HF verlustarm und hochfest
• Repräsentative Wärmeleitfähigkeiten: OFHC (TU1) ≈ 390 W/m·K; WCu85/15 ≈ 180 W/m·K