Eutektischer Diebonder CoS

für Die-AttachFlip-ChipEpoxi

Übersicht
ASMPT AMICRA CoS ist ein speziell entwickelter Multi-Die-Bonder für Chip-on-Submount-Anwendungen. Er führt hochpräzise Multi-Die-Platzierungen auf singulierten Submounts durch, mittels eutektischer Verbindung (Keramik-Pulsofen oder lokalisiertes, berührungsloses Laserheizen) und kann mit Epoxy-Stempeln für Lötpaste oder Epoxid ausgestattet werden. Der Bondingtisch verfügt über zwei Chucks: die Chip-Seite nutzt das dynamische Alignment von ASMPT AMICRA für präzises Pick-and-Place, die Submount-Seite übernimmt Ein-/Ausgabe der Substrate.

Merkmale

• Platziergenauigkeit bis zu ±1,5 µm @ 3σ
• Spezialisiert für Chip-on-Chip, Submount- und Carrier-Anwendungen
• Manuelles Laden/Entladen von Wafern und Substraten
• Typische Zykluszeit 6–10 s (anwendungsabhängig)
• Die-Größe (Laserheizung): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Die-Größe (Pulserhitzer): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Substratgröße: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Dynamische Bauteil-Alignierung für aktives Pick-and-Place
• Die Attach- und Flip-Chip-Fähigkeit
• Separates Die-Auswurf-System für Chip und Submount
• Eutektische Verbindung mit beheiztem Bondkopf (bis zu 350°C) oder Keramik-Pulserhitzer (bis zu 400°C)
• Zwei Pickup-Köpfe für Submount-Be- und -Entladung
• Aktive Bondkraftregelung, Bereich 5–500 g
• Post-Bond-Inspektion und Wafer-Mapping integriert
• Submount-Ein-/Ausgabe kompatibel mit Wafer, Gel Pak oder Waffle Pack

Optionen

• Flip-Chip-Einheit
• Epoxy-Stamping-Einheit
• Dispensing-Einheit
• Lokalisierte Laserheiz-Einheit für berührungsloses Substratheizen (bis zu 450°C)
• Weitere kundenspezifische Optionen auf Anfrage

Technische Daten

• Platziergenauigkeit: bis zu ±1,5 µm @ 3σ
• Bonding-Methoden: eutektisches Bonding (Keramik-Pulser oder lokalisiertes Laserheizen), Epoxy-Stamping (optional)
• Zykluszeit: bis zu 6 s gemeldet; typ. 6–10 s abhängig von der Anwendung
• Die-Größe (Laser): 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Die-Größe (Pulse): 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Substratgröße: 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Max. Temperatur beheizter Bondkopf: bis zu 350°C
• Max. Temperatur Keramik-Pulser: bis zu 400°C
• Max. Temperatur optionale Laserheizung: bis zu 450°C
• Bondkraftregelung: Active Bond Force Control; Bereich 5–500 g
• Bondingtisch: zwei Bond-Chucks
• Handling: zwei Pickup-Köpfe für Submount-Be- und -Entladung
• Separates Die-Auswurf-System für Chip und Submount
• Integrierte Post-Bond-Inspektion und Wafer-Mapping
• Submount-Handling: Ein-/Ausgabe kompatibel mit Wafer, Gel Pak oder Waffle Pack