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Eutektischer Diebonder NOVA Profür Die-AttachFlip-ChipEpoxi
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Eigenschaften
- Technologie
- Flip-Chip, Epoxi, für Die-Attach, eutektisch, Multi-chip, Thermo, chip-on-submount
- Funktionsweise
- automatisiert
- Anwendung
- für die Halbleiterindustrie, für Mikromontage, für Wafer, für Sensor, MEMS
- Weitere Eigenschaften
- Hochpräzision, konfigurierbar, Großflächen
- Plaziergenauigkeit
1 µm
Beschreibung
Produktübersicht Der NOVA Pro von ASMPT AMICRA ist ein Die‑Bonder für präzises Die‑Attach und Flip‑Chip‑Assembly. Er erreicht eine Platziergenauigkeit von ±1,0 µm @ 3σ und erlaubt Bonding bei Temperaturen über 350°C unter hohen Bondkräften. Das System kombiniert dynamische Ausrichtung mit laserbasierter Substratheizung und unterstützt Thermokompressions‑Bonding (TCB) sowie TSV‑Prozesse.
Anwendungen / Märkte
Hauptmerkmale
Autoloading
Optional
Technische Daten
Anwendungen / Märkte
- Optoelektronik
- Silicon Photonics
- VCSEL‑ und Laserdioden‑Bonding
- Photodioden‑Bonding
- Linsenbefestigung mit UV‑härtenden Klebstoffen
- Active Optical Cable (AOC) Baugruppen
- Transceiver‑Pakete
- Flip Chip
- 3D IC / 2.5D IC
- Thermokompression (TCB)
- Through‑Silicon Via (TSV) Prozesse
- Chip on Chip, Chip on Wafer, Chip on Substrate
- Multi‑Chip Module (MCM)
- Epoxid‑Die‑Attach für Advanced Packaging
- Eutektisches In‑Situ Die‑Attach
- MEMS‑ und Sensor‑Die‑Attach
- WLP / eWLP
Hauptmerkmale
- Hochpräziser Die‑Bonder / Flip‑Chip‑Bonder
- Platziergenauigkeit: ±1,0 µm @ 3σ
- Bonding bei Temperaturen > 350°C mit hohen Kräften möglich
- Cycle‑Time < 3 s
- Modulares Maschinenkonzept für Mikro‑Assembly
- Eutektisches Bonding per Diodenlaser, Heizplatte oder Epoxy‑Stamping/Dispensing
- Multi‑Flip‑Chip‑Fähigkeit
- Wafer‑Mapping
- Post‑Bond Inspektion und Messung
- Aktive Bond‑Kraftregelung
- Einzigartige dynamische Ausrichtung und laserbasierte Substratheizung
Autoloading
- Bis zu 12" Wafers
- 300 mm Wafers
- 450 mm Substrat‑Wafers
Optional
- UV‑Aushärtung
- Dispensing
- Zusätzliche Module verfügbar
Technische Daten
- Platziergenauigkeit: ±1,0 µm @ 3σ
- Arbeitsbereich Substrat: 550 x 600 mm
- Cycle‑Time: < 3 s
- Aktive Bond‑Kraftregelung
- Eutektische Bonding‑Methoden: Diodenlaser, Heizplatte, Epoxy‑Stamping und Dispensing
- Unterstützung für Thermokompression (TCB) und TSV‑Prozesse
- Multi‑Flip‑Chip‑Bonding
- Wafer‑Mapping‑Funktion
- Post‑Bond Inspektion / Messung
- Dynamische Ausrichtung und laserbasierte Substratheizung
- Bonding bei Temperaturen über 350°C möglich
- *Leistung ist abhängig vom Package und den Materialien
Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.