Automatischer Rillenformmaschine ALSI LASER1206

Übersicht
Suchen Sie die passende Plattform zur Entwicklung neuer Prozesslösungen für Advanced Packaging oder Power Automotive-Anwendungen? Die LASER1206 Plattform von ASMPT ALSI integriert fortschrittliche Lasertechnologie, die Ihren Chip-Fertigungsprozess auf die nächste Stufe bringt.

Eigenschaften & Vorteile

• Multi-Beam Advanced Laser Technology: begrenzte lokale Wärmeeinwirkung für bestmögliche Prozessqualität und hohe Chipfestigkeit.
• Dicing- und Grooving-Fähigkeiten für die Fertigung hoher Stückzahlen.
• Vollautomatische Handhabung von Film-Frame- und Blank-Wafern.
• Integrierte Wafer-Beschichtungs-, Reinigungs- und Trocknungsstationen.
• Sauberes Mini-Umfeld (Class 1000): geschlossene Türen zwischen den Prozessmodulen.

Anwendungen
Die LASER1206 unterstützt mehrere Halbleiterprozesse und Materialien:

• UV-Dicing Plus
  • Materialien: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
  • Waferdicke: 20–200 µm
  • Prozesse: V-DOE dicing, trenching, deep scribe
• UV-USP-Grooving
  • Materialien: Low-K, PI, TEG
  • Waferdicke: 60–800 µm
  • Prozesse: Trenching, grooving, deep scribe

Plattformbeschreibung
Die vollautomatisierte ALSI LASER1206 Plattform verarbeitet filmgefasste oder blanke Wafer in einer sauberen Umgebung. Die Plattform vermeidet thermische Schäden, die zu Gratbildung führen, und ist ein wichtiges Werkzeug als Vorprozess für Plasma-Dicing und andere zukünftige Wafer-Bearbeitungsmethoden.

Technische Daten

• Multi-Beam Advanced Laser Technology zur Begrenzung der lokalen Wärmelast und zur Maximierung der Chipfestigkeit
• Dicing- und Grooving-Fähigkeiten optimiert für die Fertigung großer Stückzahlen
• Automatisierte Handhabung: Unterstützung für Film-Frame- und Blank-Wafer
• Integrierte Wafer-Beschichtungs-, Reinigungs- und Trocknungsstationen
• Sauberes Mini-Umfeld (Class 1000) mit geschlossenen Türen zwischen den Modulen
• Unterstützte Prozesse: V-DOE dicing, trenching, deep scribe, grooving
• Unterstützte Materialien: Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
• Waferdickenbereiche: 20–200 µm (UV-Dicing Plus) und 60–800 µm (UV-USP-Grooving)