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Keramiksubstrat
für die Elektronikfür LeistungselektronikAluminiumnitrid

Keramiksubstrat - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - für die Elektronik / für Leistungselektronik / Aluminiumnitrid
Keramiksubstrat - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - für die Elektronik / für Leistungselektronik / Aluminiumnitrid
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Eigenschaften

Merkmal
Keramik, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, für die Elektronik, für Leistungselektronik
Merkmal
Dickschicht, dünnschichtig

Beschreibung

Kundenspezifische keramische Substrate von INNOVACERA dienen als Basismaterialien für Leistungselektronik, Halbleitergehäuse und Mikroelektronik und bieten mechanische Unterstützung, elektrische Verbindungen und Wärmeableitung für elektronische Bauteile.

Materialien und Anwendungen
  • 96% Aluminiumoxid (Al₂O₃): Geringes Verziehen, hohe Thermoschock- und Chemikalienbeständigkeit, sehr gute Verarbeitbarkeit. Anwendungen: Dick-/Dünnschicht-Chipwiderstände, LEDs mit geringer Leistung, Substrate für Energiespeicher und Ladestationen.
  • Aluminiumoxid-Nitrid (AlN): Hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagsfestigkeit, thermischer Ausdehnungskoeffizient nahe Siliziumwafern. Anwendungen: Kühlkörper, leistungsstarke IGBT-Module, Hochleistungs-LEDs.
  • Mit Zirkonia verstärktes Aluminiumoxid (ZTA): Hohe Festigkeit und Reflektivität, starke Thermoschockbeständigkeit, gute Verarbeitbarkeit. Anwendungen: Leistungsbaugruppen mittlerer Leistung, LEDs mittlerer Leistung, Messinstrumente.
  • Siliziumnitrid (Si₃N₄): Hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Festigkeit und Zähigkeit, CTE nahe Silizium. Anwendungen: Hochleistungs-IGBT-Module, leistungsstarke Kühlkörper, Funkmodule.


Technologische Vorteile entlang der Wertschöpfungskette
  • Unabhängig kontrollierte Hochreinheitspulver zur Sicherstellung von Chargenkonsistenz und stabilen thermo-mechanischen Eigenschaften.
  • Mehrere Formverfahren verfügbar (Tape Casting, Trockenpressen, Isostatisches Pressen), um Form-, Größen- und Leistungsanforderungen für Präzisionsteile zu erfüllen.
  • Präzisionsbearbeitung: Laserbearbeitung, Schleifen und Polieren zur Erreichung mikrometergenauer Abmessungen und extrem niedriger Oberflächenrauheit (Ra kann Nanometer-Niveau erreichen).
  • Starke F&E- und Anpassungsfähigkeiten mit über 40 Patenten, die maßgeschneiderte Substrate mit spezifischen Dicken und Leistungsparametern ermöglichen.
  • Umfassendes Qualitätsmanagement: IATF16949-Zertifizierung und vollständige Prozesskontrolle mit präzisen Prüf- und Analysegeräten.


Spezifikationen und Abmessungen
  • Einheit: mm
  • Effektive Größe (A, B): Al₂O₃: 50.8–190; ZTA: 50.8–190; AlN: 50.8–190; Si₃N₄: 138 × 190
  • Dicke (T): Al₂O₃: 0.25–1.5; ZTA: 0.25–1.5; AlN: 0.25–1.0; Si₃N₄: 0.25, 0.32
  • Dicktoleranz: ±5% (Min ±0.03 mm) — alle Materialien
  • Warp (C): ≤0.3% — alle Materialien
  • Oberflächenrauheit (μm): Al₂O₃: 0.2–0.6; ZTA: 0.2–0.5; AlN: 0.2–0.75; Si₃N₄: 0.2–0.75
  • Anpassbar in Größe, Dicke und Oberflächenrauheit


Technische Spezifikationen
  • Angebotene Materialien: 96% Aluminiumoxid (Al₂O₃), Aluminium-Nitrid (AlN), zirkoniaverstärktes Aluminiumoxid (ZTA), Siliziumnitrid (Si₃N₄).
  • Präzisionsbearbeitung: Mikrometer-genaue Maßkontrolle und Möglichkeit, Ra im Nanometerbereich mittels fortschrittlicher Schleif- und Polierverfahren zu erzielen.
  • Fertigungsverfahren: Tape Casting, Trockenpressen, Isostatisches Pressen und kundenspezifische Formgebung für komplexe Geometrien.
  • F&E & Anpassung: >40 Patente und Fähigkeit, Dicken sowie elektrische/thermische Eigenschaften nach Kundenanforderungen einzustellen.
  • Qualität & Zertifizierung: Vollständige Prozess-Kontrolle und IATF16949-Zertifizierung; ausgestattet mit präzisen Prüf- und Analyseinstrumenten.

Kataloge

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Alumina Ceramic

* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.