Kundenspezifische keramische Substrate von INNOVACERA dienen als Basismaterialien für Leistungselektronik, Halbleitergehäuse und Mikroelektronik und bieten mechanische Unterstützung, elektrische Verbindungen und Wärmeableitung für elektronische Bauteile.
Materialien und Anwendungen- 96% Aluminiumoxid (Al₂O₃): Geringes Verziehen, hohe Thermoschock- und Chemikalienbeständigkeit, sehr gute Verarbeitbarkeit. Anwendungen: Dick-/Dünnschicht-Chipwiderstände, LEDs mit geringer Leistung, Substrate für Energiespeicher und Ladestationen.
- Aluminiumoxid-Nitrid (AlN): Hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagsfestigkeit, thermischer Ausdehnungskoeffizient nahe Siliziumwafern. Anwendungen: Kühlkörper, leistungsstarke IGBT-Module, Hochleistungs-LEDs.
- Mit Zirkonia verstärktes Aluminiumoxid (ZTA): Hohe Festigkeit und Reflektivität, starke Thermoschockbeständigkeit, gute Verarbeitbarkeit. Anwendungen: Leistungsbaugruppen mittlerer Leistung, LEDs mittlerer Leistung, Messinstrumente.
- Siliziumnitrid (Si₃N₄): Hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Festigkeit und Zähigkeit, CTE nahe Silizium. Anwendungen: Hochleistungs-IGBT-Module, leistungsstarke Kühlkörper, Funkmodule.
Technologische Vorteile entlang der Wertschöpfungskette- Unabhängig kontrollierte Hochreinheitspulver zur Sicherstellung von Chargenkonsistenz und stabilen thermo-mechanischen Eigenschaften.
- Mehrere Formverfahren verfügbar (Tape Casting, Trockenpressen, Isostatisches Pressen), um Form-, Größen- und Leistungsanforderungen für Präzisionsteile zu erfüllen.
- Präzisionsbearbeitung: Laserbearbeitung, Schleifen und Polieren zur Erreichung mikrometergenauer Abmessungen und extrem niedriger Oberflächenrauheit (Ra kann Nanometer-Niveau erreichen).
- Starke F&E- und Anpassungsfähigkeiten mit über 40 Patenten, die maßgeschneiderte Substrate mit spezifischen Dicken und Leistungsparametern ermöglichen.
- Umfassendes Qualitätsmanagement: IATF16949-Zertifizierung und vollständige Prozesskontrolle mit präzisen Prüf- und Analysegeräten.
Spezifikationen und Abmessungen- Einheit: mm
- Effektive Größe (A, B): Al₂O₃: 50.8–190; ZTA: 50.8–190; AlN: 50.8–190; Si₃N₄: 138 × 190
- Dicke (T): Al₂O₃: 0.25–1.5; ZTA: 0.25–1.5; AlN: 0.25–1.0; Si₃N₄: 0.25, 0.32
- Dicktoleranz: ±5% (Min ±0.03 mm) — alle Materialien
- Warp (C): ≤0.3% — alle Materialien
- Oberflächenrauheit (μm): Al₂O₃: 0.2–0.6; ZTA: 0.2–0.5; AlN: 0.2–0.75; Si₃N₄: 0.2–0.75
- Anpassbar in Größe, Dicke und Oberflächenrauheit
Technische Spezifikationen- Angebotene Materialien: 96% Aluminiumoxid (Al₂O₃), Aluminium-Nitrid (AlN), zirkoniaverstärktes Aluminiumoxid (ZTA), Siliziumnitrid (Si₃N₄).
- Präzisionsbearbeitung: Mikrometer-genaue Maßkontrolle und Möglichkeit, Ra im Nanometerbereich mittels fortschrittlicher Schleif- und Polierverfahren zu erzielen.
- Fertigungsverfahren: Tape Casting, Trockenpressen, Isostatisches Pressen und kundenspezifische Formgebung für komplexe Geometrien.
- F&E & Anpassung: >40 Patente und Fähigkeit, Dicken sowie elektrische/thermische Eigenschaften nach Kundenanforderungen einzustellen.
- Qualität & Zertifizierung: Vollständige Prozess-Kontrolle und IATF16949-Zertifizierung; ausgestattet mit präzisen Prüf- und Analyseinstrumenten.