Kammerofen SC-1600-III

Kristallwachstumelektrischer WiderstandEdelgas

SCEC-Einzigkristall-Ingot-Ziehmaschine der dritten Generation: Die sauerstoffarme Einzigkristall-Ingot-Ziehmaschine kann das Silizium mithilfe eines Graphitheizelements in einer inerten Atmosphäre (Argon, Stickstoff) schmelzen und anschließend automatisch versetzungsfreie Einzigkristall-Silizium-Ingots nach dem CZ-Verfahren züchten. Die einzigartige Lösung von SCEC zur Reduzierung des Sauerstoffgehalts kann den Sauerstoffgehalt in Mono-Si-Blöcken effektiv um 40 % senken und den Wirkungsgrad von N-Typ-210-Zellen um 0,1 % bis 0,2 % verbessern. Der Kristallzüchtungsofen ist eine Kristallzüchtungsanlage mit flexibler Ziehwelle, die in einer inerten Atmosphäre unter Unterdruck mithilfe eines Graphit-Widerstandsheizelements das in den Quarzschmelztiegel eingefüllte Siliziummaterial schmilzt und nach dem Czochralski-Verfahren hochwertige, versetzungsfreie Mono-Si-Blöcke züchtet.Der Kristallzüchtungsofen mit niedrigem Sauerstoffgehalt, der speziell für die Anforderungen an einen niedrigen Sauerstoffgehalt im Herstellungsprozess von N-Typ-Zellen entwickelt wurde, erzielt durch technische Maßnahmen wie Argon-Spülung, Prozesssimulation der Heißzone und softwaregesteuerte Algorithmen eine Verringerung des Sauerstoffgehalts, eine Verlängerung der Lebensdauer der Minoritätsträger, eine Verbesserung der Kristallisationsrate sowie eine Steigerung der Tagesproduktion, wodurch die Effizienz von N-Typ-Zellen effektiv gesteigert wird. Vollautomatischer Prozess Halswachstum – Kronenwachstum – Schulterwachstum – Körperwachstum – Schwanzwachstum Durchmesserkontrolle ≤±0,5 mm Intelligente Temperaturregelung Die einzigartige SCEC-Heizzone ermöglicht eine stabile Temperaturregelung Modularer Aufbau Das benutzerfreundliche Software-Steuerungssystem verfügt über umfassende Funktionen und unterstützt maßgeschneiderte Upgrades Einsparung von Personalkosten Das intelligente Kristallwachstum reduziert den menschlichen Eingriff