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- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTS600HF120T9HSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
Beschreibung
Merkmale:
- Kurzschlussfestigkeit> 10ps
- Niedrige Sättigungsspannung: Vce(sat) = 1 -85V @ le = 600A , Tc=25'C
- Niedriger Schaltverlust
- 100% RBSOA-geprüft - (2*lc)
- Geringe Streuinduktivität
- Bleifrei, entspricht den RoHS-Anforderungen
Anwendungen:
- Hochleistungsumrichter
- Motorantriebe
- USV-Systeme
- Windturbinen
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Kataloge
RTS600HF120T9H IGBT Module
8 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.