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- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTU50HF120FA1Leistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
50 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Merkmale:
-1200V50A,VCE(sat)(typ.)=3.0V
-Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit
-Hervorragende Kurzschlussrobustheit
-34mm Halbbrückenmodul
Allgemeine Anwendungen:
Die IGBTs von Rongtech bieten ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten für Anwendungen wie Schweißen, induktive Erwärmung, USV und andere Hochfrequenzanwendungen
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Kataloge
RTU50HF120FA1
7 Seiten
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