- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RT75HF120T1VH-MSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
Beschreibung
Merkmale:
- Field Stop Trench Gâte IGBT
- Kurzschlussfest> 1Ops
- Niedrige Sättigungsspannung
- Niedriger Schaltverlust
- 100% RBSOA-geprüft (2*lc)
- Geringe Streuinduktivität
- Bleifrei, konform mit RoHS-Anforderungen
Anwendungen:
- Schweißmaschine " Schneidemaschine
- Stromversorgungen für Beschichtungen* Induktionserwärmung
- SMPS, UPS
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Kataloge
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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