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- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTK300HF120BLeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
300 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Merkmale:
-1200V300A,VCE(sat)(typ.)=2.1V
-Geringere Verluste und höhere Energiekosten
-Hervorragende Kurzschlussrobustheit
-62mm Halbbrückenmodul
Allgemeine Anwendungen:
Die IGBTs von Rongtech bieten geringere Verluste und höhere Energie für Anwendungen wie Motorantrieb. Umrichter und andere Soft-Switch-Anwendungen.
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Kataloge
RTK300HF120B
7 Seiten
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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