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IGBT-Transistormodul RT50PI120T6H-MSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Schalt
Beschreibung
Merkmale:
- Field Stop Trench Gâte IGBT
- Kurzschlussfest> 1Ops
- Niedrige Sättigungsspannung
- Niedriger Schaltverlust
- 100% RBSOA-geprüft - (2x|c)
- Geringe Streuinduktivität
- Bleifrei. Kompatibel mit RoHS-Anforderungen
Anwendungen:
- Industrielle Umrichter
- Servo-Anwendungen
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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