- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistor RGW40N120T1BLeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
40 A
- Spannung
1.200 mV
Beschreibung
FEATURES
-Hohe Durchbruchspannung bis 1200V für verbesserte Zuverlässigkeit
Graben-Stopp-Technologie Angebot :
>sehr enge Parameterverteilung
>Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
>Kurzschlussfestigkeit - 1 Ops - 1 Ops
>Hohe Robustheit, temperaturstabil
>Niedriges VcE(SAT)
>Einfache Parallelschaltfähigkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in der
VcE(SAT)
-Verbesserte Lawinenfähigkeit
ANWENDUNG
- Frequenzumrichter
- Motorantrieb
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Kataloge
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