- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistor RGW40N120T1BLeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
40 A
- Spannung
1.200 mV
Beschreibung
FEATURES
-Hohe Durchbruchspannung bis 1200V für verbesserte Zuverlässigkeit
Graben-Stopp-Technologie Angebot :
>sehr enge Parameterverteilung
>Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
>Kurzschlussfestigkeit - 1 Ops - 1 Ops
>Hohe Robustheit, temperaturstabil
>Niedriges VcE(SAT)
>Einfache Parallelschaltfähigkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in der
VcE(SAT)
-Verbesserte Lawinenfähigkeit
ANWENDUNG
- Frequenzumrichter
- Motorantrieb
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Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.