IGBT-Transistor RGW25N135F1A
Leistung

IGBT-Transistor - RGW25N135F1A - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - Leistung
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Eigenschaften

Typ
IGBT
Technologie
Leistung
Strom

25 A

Spannung

1.350 V

Beschreibung

Rongtech Field Stop Trench IGBTs bieten niedrige Schaltverluste, hohe Energieeffizienz und hohe Avalanche-Robustheit für sanft schaltende Anwendungen wie induktive Erwärmung, Mikrowellenherde, etc. MERKMALE -Hohe Durchbruchspannung bis 1350V für verbesserte Zuverlässigkeit -Trench-Stop-Technologie bietet : >Hohe Schaltgeschwindigkeit >Hohe Robustheit, temperaturstabil >Niedrige VcEsat >Einfache Parallelschaltbarkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in VcEsat -Weiche Stromabschaltwellenformen verbesserte Avalanche-Fähigkeit VCE:1350A IC:25A VCE(SAT) IC=25A: 2.0V Anwendung: * Induktives Kochen * Inverterisierte Mikrowellenherde * Resonanzwandler * Sanft schaltende Anwendungen * Sanft schaltende Anwendungen

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.
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