- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistor RGW50N65F1ALeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
50 A
- Spannung
650 V
Beschreibung
Rongtech 650V Trench Field Stop IGBTs bieten geringe Schaltverluste, hohe Energieeffizienz und hohe Lawinenrobustheit für Bewegungssteuerung, Solaranwendung und Schweißmaschine.
FEATURES
-Hohe Durchbruchspannung bis 650V für verbesserte Zuverlässigkeit
Graben-Stopp-Technologie Angebot :
>Hochgeschwindigkeitsschaltung
>Hohe Robustheit, temperaturstabil
>Kurzschlussfestigkeit - 5ps
>LOW VcEsat
>Einfache Parallelschaltfähigkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in der
VcEsat
Verbesserte Lawinenfähigkeit
ANWENDUNG
-Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
-Wechselrichter
-Schweißkonverter
PFC-Anwendungen
-Umrichter mit hoher Schaltfrequenz
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Kataloge
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.