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IGBT-Transistormodul
RT25PI120B9H
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte ...
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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Leistungstransistormodul
HRC12
Spannung: 8 V - 35 V
... Das Bluetooth-Modul ist ein Übergangsmodul für die Datenkommunikation zwischen Handy und Aggregat. Es ist über RS485 mit der Aggregatesteuerung verbunden. Über die mobile APP können Aggregatinformationen abgerufen und der Start/Stopp ...
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