KurzbeschreibungDer LM358 ist ein dualer Operationsverstärker mit zwei Kanälen, Einheitsspannungsstabilität und einem breiten Versorgungsbereich für allgemeine industrielle und eingebettete Anwendungen. Neuere Varianten (LM358B, LM2904B/BA) bieten geringeren Offset, niedrigeren Ruhestrom und integrierte EMI/RF‑Filter für verbesserte Leistung.
KerndatenDie LM358‑Familie verfügt über einen Common‑Mode‑Eingangsbereich, der die Masse einschließt, geringe Eingangsversatzspannung und gute Differenzeingangs‑Toleranz. Typische GBW beträgt ~0,7 MHz; B/BA‑Varianten erhöhen die Bandbreite und verringern den Ruhestrom. Die Bauteile eignen sich für kostenempfindliche und raue Umgebungen mit Anforderungen an ESD‑Robustheit und EMI‑Immunität.
Funktionen- Versorgungsbereich: 3 V bis 30 V (bis zu 36 V bei manchen B/BA‑Varianten)
- Ruhestrom: ~300–350 µA pro Kanal (typisch, variantabhängig)
- Unity‑Gain‑Bandbreite: ~0,7 MHz (LM358); ~1,2 MHz (LM358B/BA)
- Common‑Mode‑Eingangsbereich umfasst Masse (ermöglicht Messung nahe 0 V)
- Niedriger Eingangsoffset: bis zu 2–3 mV je nach Variante
- Integrierte RF/EMI‑Filter und erhöhte ESD‑Schutzmaßnahmen bei B/BA‑Varianten
DatenblattSiehe das Datenblatt "Industry‑Standard Dual Operational Amplifiers" (Rev. AB) für vollständige elektrische Kenndaten, Pinbelegung und Anwendungshinweise.
Gehäuse und Medien- Gängige Gehäuse: PDIP, SOIC, SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8
- Funktionales Blockdiagramm und Gehäusedarstellungen verfügbar
Beschreibung (detailliert)Die Varianten LM358B/LM2904B bringen Verbesserungen wie einen niedrigeren typischen Offset (≈300 µV typisch für B/BA), reduzierten Ruhestrom (~300 µA pro Verstärker), höhere ESD‑Robustheit (z. B. 2 kV HBM bei einigen Varianten) und integriertes EMI/RF‑Filtering, um den Einsatz in anspruchsvolleren Umgebungen und platzbeschränkten Designs zu erleichtern.
Merkmale / technische Daten- Anzahl Kanäle: 2
- Gesamtversorgungs‑Spannung (max): 30 V
- Gesamtversorgungs‑Spannung (min): 3 V
- Rail‑to‑rail: Eingang bis V− (Common‑Mode umfasst Masse)
- GBW (typ): 0,7 MHz (LM358); ~1,2 MHz (B/BA)
- Slew‑Rate (typ): 0,3 V/µs
- Vos (max bei 25 °C): bis zu 7 mV (Katalog); 3 mV (A/B); 2 mV (BA)
- Iq pro Kanal (typ): 0,35 mA (typisch); ~0,3 mA für B/BA
- Vn bei 1 kHz (typ): 40 nV/√Hz
- Betriebstemperaturbereich: 0 bis 70 °C
- CMRR (typ): 80 dB
- Iout (typ): 30 mA
- Architektur: Bipolar
- Vertretergehäuse: PDIP (8‑polig), SOIC (8‑polig), SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8