Harz für Halbleiter GKR

hochbeständiglichtempfindlichmit hoher Thermostabilität

Übersicht
Positiver KrF-Photoresist für ein breites Spektrum von Strukturierungsanwendungen in der Halbleiterfertigung. Die GKR-Serie bietet mehrere Grade, von dickschichtigen Filmen bis zu hochauflösenden Formulierungen, zur Anpassung an verschiedene Prozessanforderungen.

Produktübersicht
Produktfamilien der GKR-Serie:

• GKR-46xx/32xx Serie (für Implant)
• GKR-53xx Serie (für C/H)
• GKR-63xx Serie (für L/S)

Verwandte Produkte

• EUV (13,5 nm) — EUV-Materialien für Negativbildgebung
• NIL (Nanoimprint Lithography) — NIL-Materialien für Lithographieprozesse in der Halbleiterfertigung
• ArF (193 nm) — Materialien für positive Trocken- und Tauchbildgebung sowie für Negativbildgebung (NTI)
• i-Line, g-Line und Broadband — Mittel-UV-empfindliche Photoresists für Auflösungen von <0,30 µm bis >1,0 µm
• Negativ (polyisoprenbasiert) — Serien von Negativton-Resists auf Polyisoprenbasis
• e-Beam — Positive und negative Resists für verschiedene e‑Beam-Anwendungen

Eigenschaften / Technische Daten

• Wellenlänge: 248 nm (KrF)
• Ton: Positiv
• Hauptproduktfamilie: GKR-Serie
• Verfügbare Varianten: GKR-46xx/32xx (Implant), GKR-53xx (C/H), GKR-63xx (L/S)
• Produktprogramm umfasst dickschichtige Filme und hochauflösende Formulierungen zur Abdeckung unterschiedlicher Prozessanforderungen