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TRUMPF Plasma-Generatoren / Hoch -PE-CVD
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Plasma-Generator / IndustrieTruPlasma RF Air Sériés 1000
... b>Anwendungen
- Reactive‑Ion Etching (RIE)
- Atomic Layer Deposition (ALD)
- Plasma‑Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
- RF‑Sputtern
- Fertigung von Halbleitern, MEMS, Flachbildschirm‑Beschichtungen
TRUMPF lasers
... für plasmagestützte Beschichtungsverfahren wie PVD, PECVD und reaktives Sputtern. Sie bieten formbare, konfigurierbare Ausgangssignale und ein volldigitales Arc‑Management zur Stabilisierung des Plasmas und für reproduzierbare ...
TRUMPF lasers
... Produktion von Solarzellen: Sputtern, PECVD und andere Beschichtungs/Abtragungsprozesse
TRUMPF lasers
... li>
Anwendungen Die TruPlasma RF Serie 1000 / 3000 (G2/13) eignet sich für Plasmaprozesse wie RIE, ALD,
PECVD und RF‑Sputtern. Typische Einsatzbereiche: Halbleiterfertigung, MEMS, Flachbildschirmbeschichtung und Photovoltaik‑Zellenproduktion ...
TRUMPF lasers
... >
- Ätz- und Beschichtungsprozesse (Plasmaätzen, reaktives Ionenätzen, ALD, PECVD).
- Beschichtung von Flachbildschirmen und Solarzellen (z. B. RIE, ALD, PECVD, RF-Sputtern).
- Beschichtung und Strukturierung
TRUMPF lasers
... Materialien. Es unterstützt sowohl gepulsten als auch Bias-Betrieb und liefert stabile Plasmaeigenschaften für kritische PVD- und
PECVD-Prozesse, bei minimierten Arc-bedingten Stillstandszeiten und reduziertem Substratschaden.
Tagline
Gepulste ...
TRUMPF lasers
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