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Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...
Infineon Technologies AG
Strom: 40 A
Spannung: 40 V
... OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs mit klassenbestem RDS(on) und überragender Schaltleistung Die OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFET 40V-Familie ist für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen optimiert, z. B. für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und ...
Infineon Technologies AG
Strom: 61 A
Spannung: 600 V
... Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und ...
Infineon Technologies AG
Strom: 20 A
Spannung: 600 V
... Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA und die ...
Infineon Technologies AG
Strom: 18 A
Spannung: 600 V
... Der 600V CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA und ...
Infineon Technologies AG
Strom: 9 A
Spannung: 600 V
... Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und die ...
Infineon Technologies AG
Strom: 101 A
Spannung: 600 V
... Der 600V CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA und ...
Infineon Technologies AG
Strom: 101 A
Spannung: 600 V
... Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und die ...
Infineon Technologies AG
Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen Energieverlust ...
Littelfuse
Strom: 600 A
Spannung: 1.200 V
Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an IGBT-Modulen von Littelfuse wird für Leistungssteuerungsanwendungen ...
Littelfuse
SEMIKRON
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