Infineon Lawinentransistoren

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MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IPD900P06NM

Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V

... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
ISP75DP06LM

Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IPD25DP06NM

Strom: -6,5 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
ISP25DP06LM

Strom: -1,9 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
ISP12DP06NM

... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IPB110P06LM

Strom: -100 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im D²PAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
ISS55EP06LM

Strom: -0,18 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
ISS17EP06LM

Strom: -0,3 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IPD25DP06LM

Strom: -6,5 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bausteins ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
ISP25DP06NM

Strom: -1,9 A
Spannung: -60 V

... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen ...

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Infineon Technologies AG
MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
DID3A2N65

Strom: 3,2 A
Spannung: 650 V

Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform *) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation l) Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger ...

MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
DIJ series

Strom: 2,3, 3,2 mA
Spannung: 650 V

Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform *) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation l) Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger ...

MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
DIT050N06

Strom: 50, 20 A
Spannung: 60 V

Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Standardausfuhrung *) Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung Avalanche-Charakteristik Konform ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
FMMT, ZTX series

Spannung: 50, 100 V

... Der FMMT413 ist ein NPN-Silizium-Planar-Bipolartransistor, der für den Lawinenbetrieb optimiert ist. Strenge Prozesskontrolle und induktionsarme Verpackung ergeben zusammen hohe Stromimpulse mit schnellen Kanten, ideal für die Ansteuerung ...

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