Keramikscheibe

AluminiumnitridIsolation

Mit seinen Eigenschaften der elektrischen Isolierung und der hervorragenden Wärmeleitfähigkeit ist Aluminiumnitrid (AlN) Keramik ideal für Anwendungen, bei denen Wärmeableitung erforderlich ist. Gute mechanische Eigenschaften, höhere Biegefestigkeit als Al2O3- und BeO-Keramik, hohe Temperatur- und Korrosionsbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit in Verbindung mit guten elektrischen Isolationseigenschaften, außergewöhnliche Stabilität bei der Einwirkung vieler Salzschmelzen, thermische Stabilität bis mindestens 1500°C, günstige mechanische Eigenschaften bis in den Hochtemperaturbereich.Geringe Wärmeausdehnung und Temperaturwechselbeständigkeit.Besondere optische und akustische Eigenschaften.EigenschaftenWertFarbe DunkelgrauHauptbestandteil96%ALNMasse Dichte(g/cm3)3.335Wasseraufnahme0.00Biegefestigkeit(MPa)382.70Dielektrizitätskonstante(1MHz)8.56Koeffizient der linearen Wärmeausdehnung(/℃，5℃/min, 20-300℃)2.805*10-6Wärmeleitfähigkeit(30 Grad Celsius)>=170Chemische Beständigkeit(mg/cm2)0.97Thermische StoßfestigkeitKeine RisseVolumenwiderstand(Ω.cm) (20 Grad Celsius)1.4*1014Durchschlagfestigkeit(KV/mm)18.45Oberflächenrauhigkeit Ra(μm)0,3-0,5Wölbung(Länge ‰）<=2‰Keramik-SpritzgussNiederdruck-SpritzgussKalt-Isostatisches PressenTrockenpressenBandgießenPräzisionsbearbeitungAlN-Keramik-Kühlkörper für HochleistungssystemeAlN-Tiegel, Al-Verdampfungsschale und andere hochtemperaturbeständige Teile.Direct Bond Copper Substrates (DBC)AlN Ceramic RodALN Ceramic WaferALN Ceramic SubstrateAlN Ceramic HeaterCustom ShapeKomponenten für HalbleiterausrüstungIC PackagingThermal module substrateHigh power transistor module substrateHigh frequency device substrateExothermic insulation board for Thyristor ModulesHalbleiterlaser, festes Substrat für Leuchtdioden （LED)Hybrides integriertes Modul, ZündvorrichtungsmodulVerwendet beim Sintern von StrukturkeramikenAlN-Tiegel für Metallschmelzen & elektronische ZigarettenAngewandt auf LeuchtstoffeAngewandt auf das SubstratmaterialAluminiumnitrid (AlN) hat eine maximale direkte Bandlückenbreite von 6.2eV, die eine höhere photoelektrische Umwandlungseffizienz als ein Halbleiter mit indirekter Bandlücke aufweist. Als wichtiges blaues und ultraviolettes Lumineszenzmaterial wird AlN in ultravioletten/tief ultravioletten Leuchtdioden, ultravioletten Laserdioden und ultravioletten Detektoren verwendet. Darüber hinaus kann AlN mit Nitridverbindungen der Gruppe III wie GaN und InN kontinuierliche Mischkristalle bilden, und seine Drei- oder Vier-Element-Legierungen können eine kontinuierliche, abstimmbare Bandlücke vom sichtbaren Band bis zum tiefen Ultraviolettband erreichen, was es zu einem wichtigen Hochleistungsleuchtstoff macht.AlN-Kristalle sind ideale Substrate für GaN, AlGaN und AlN-Epitaxiematerialien. Im Vergleich zu Saphir- oder SiC-Substraten hat AlN eine bessere thermische Anpassung und chemische Kompatibilität mit GaN und geringere Spannungen zwischen Substrat und Epitaxialschicht. Daher kann AlN-Kristall als GaN-Epitaxie-Substrat die Defektdichte im Gerät stark reduzieren, die Leistung des Geräts verbessern und hat eine gute Anwendungsperspektive bei der Herstellung von Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, Hochleistungs-Elektronikgeräten.Reguläre Spezifikation von ALN-Keramiksubstrat:Länge & Breite: 25,4mm; 50,8mm; 63,5mm; 76,2mm; 101,6mm; 114,3mm; 127mm; 152,4mm.Dicke: 0,25mm; 0,5mm; 0,63mm;1mm;1,5mm; 2mm.Gute mechanische EigenschaftenHöhere Biegefestigkeit als Al2O3- und BeO-KeramikHohe Temperatur- und KorrosionsbeständigkeitHohe Wärmeleitfähigkeit mit guter elektrischer IsolierungAußergewöhnliche Stabilität mit geschmolzenen SalzenThermische Stabilität bis zu 1500°CNiedrige Wärmeausdehnung und TemperaturwechselbeständigkeitBesondere optische und akustische EigenschaftenFarbe: DunkelgrauHauptbestandteil: 96%ALNVolumen-Dichte: 3.335 g/cm³Wasserabsorption: 0.00Biegefestigkeit: 382,70 MPaDielektrizitätskonstante: 8,56 (1MHz)Linearer Wärmeausdehnungskoeffizient: 2,805*10^-6 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)Wärmeleitfähigkeit: ≥170 (30°C)Chemische Beständigkeit: 0,97 mg/cm²Thermoschockbeständigkeit: Keine RisseVolumenwiderstand: 1,4*10^14 Ω.cm (20°C)Durchschlagsfestigkeit: 18,45 KV/mmOberflächenrauhigkeit Ra: 0,3-0,5 μmKammer (Länge ‰): ≤2‰