Laserquellen für Halbleiter

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Puls-Laserquelle
Puls-Laserquelle
NPFL-80IR-1.01

Leistung: 80 W
Wellenlänge: 1.064 nm

... Konfiguration für stabile Ausgangsleistung (Leistungsstabilität ≤3 % über 24 h) und verbesserte Bearbeitungsleistung in der Halbleiter- und Photovoltaikfertigung

  • Einstellbare Wiederholrate 100–2000 kHz und Leistungsregelbereich
  • ...

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    Han's Laser Technology Co., Ltd
    Puls-Laserquelle
    Puls-Laserquelle
    HPF-50-IR

    Leistung: 20 W - 50 W
    Wellenlänge: 1.030 nm

    ... Pulse Amplification (CPA)-Technologie, um beugungsnahe femtosekunden-Ausgänge zu liefern. Er findet breite Anwendung in der Halbleiter- und Unterhaltungselektronikindustrie für präzise Mikrobearbeitung und konstante Prozessleistung.

    • Schneiden,
    ...

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    Han's Laser Technology Co., Ltd
    Femtosekunden-Laserquelle
    Femtosekunden-Laserquelle
    JPT-LIT 20

    Leistung: 3 W - 20 W
    Wellenlänge: 514 nm - 1.032 nm

    ... gt;130 µJ (1030 nm)

    Anwendungen

    • Mikrobearbeitung und Präzisionsstrukturierung
    • Halbleiter- und Elektronikfertigung
    • Display- und Batterieproduktion
    • Wissenschaftliche Forschung und
    ...

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    JPT Opto-electronics
    Puls-Laserquelle
    Puls-Laserquelle
    FS series

    Leistung: 20, 60 W
    Wellenlänge: 1.035 nm

    ... Produktübersicht
    Die JPT FS Series Femtosekunden‑Infrarot‑Faserlaser erzeugen ultrakurze Pulse (<400 fs) mit hoher Einzelschussenergie (>40 μJ) für sehr hohe Spitzenleistungen und submikrometrische Präzision. Die Vollfaser‑CPA‑Architektur ...

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