Puls-Laserquelle HPF-50-IR

FemtosekundenUltrakurzpulsFestkörper

Geräteeigenschaften

• Femtosekundenimpuls
• Hohe Impulsenergie und Spitzenleistung
• Beugungsnahe Strahlqualität
• Hohe Stabilität und Zuverlässigkeit

Anwendungen
Dieser Laser verwendet die fortschrittliche Chirped Pulse Amplification (CPA)-Technologie, um beugungsnahe femtosekunden-Ausgänge zu liefern. Er findet breite Anwendung in der Halbleiter- und Unterhaltungselektronikindustrie für präzise Mikrobearbeitung und konstante Prozessleistung.

• Schneiden, Bohren und Ritzen (Glas, Silizium, Keramik, flexible Leiterplatten)
• Dünnschicht-Patterning (Metalle, dünne Schichten)
• Markieren (Glas, Silizium, Keramik, Metalle, Kunststoffe)

Technisches Datenblatt
Betriebsart: Pulse
Durchschnittsleistung (W): 50 W @ 600 kHz (Alternative: 20 W @ 100 kHz)
Zentralwellenlänge (nm): 1030
Linienbreite (nm): <3 (3 dB)
Repetitionsfrequenz (kHz): 50-2000 (einstellbar)
Pulsdauer (fs): 600-30000 (anpassbar)
Maximale Einzelschußenergie (µJ): 200
Leistungsregelbereich (%): 0-100
Ansprechzeit (µs): <100
Strahlqualität (M2): ≤1.3
Leistungsstabilität (%): ≤2 (24 h)
Spotgröße (mm): 2.5±0.3 (1/e2)
Spot-Elliptizität (%): >90 (typ. 93%)
Strahlversatz (mm): <1.0
Strahldivergenzwinkel (mrad): <0.5

Technische Spezifikationen

• Betriebsart: Pulse
• Durchschnittsleistung: 50 W @ 600 kHz (Alternative: 20 W @ 100 kHz)
• Zentralwellenlänge: 1030 nm
• Linienbreite: <3 nm (3 dB)
• Repetitionsfrequenz: 50-2000 kHz (einstellbar)
• Pulsdauer: 600-30000 fs (anpassbar)
• Maximale Einzelschußenergie: 200 µJ
• Leistungsregelbereich: 0-100%
• Ansprechzeit: <100 µs
• Strahlqualität (M2): ≤1.3
• Leistungsstabilität: ≤2% (24 h)
• Spotgröße: 2.5±0.3 mm (1/e2)
• Spot-Elliptizität: >90% (typ. 93%)
• Strahlversatz: <1.0 mm
• Strahldivergenzwinkel: <0.5 mrad