Puls-Laserquelle NPFL-80IR-1.01

Sub-NanosekundefaseroptischInfrarot

Maschineneigenschaften

• Sub-Nanosekunden-Impulse (0,1–0,2 ns, anpassbar); nahezu beugungsbegrenzte Strahlqualität (M2 ≤1,5); maximale Einzelimpulsenergie 0,8 mJ
• Vollfaser-optische Konfiguration für stabile Ausgangsleistung (Leistungsstabilität ≤3 % über 24 h) und verbesserte Bearbeitungsleistung in der Halbleiter- und Photovoltaikfertigung
• Einstellbare Wiederholrate 100–2000 kHz und Leistungsregelbereich 0–100 % für Prozessflexibilität
• Kompakter Aufbau, schnelle Ansprechzeit (<100 μs) und kontrollierte Strahlparameter (Spotgröße 3,0±0,2 mm, Elliptizität typ. 92 %)

Anwendungen

• Schneiden, Bohren und Ritzen von Glas, Silizium und Keramik
• Dünnschichtstrukturierung und Mikrostrukturierung von Metallen und Beschichtungen
• Permanentmarkierung auf Glas, Silizium, Keramik, Metallen und Kunststoffen

Technisches Datenblatt
Maschinenmodell: Infrared Sub-nanosecond Laser NPFL-80IR-1.01
Betriebsmodus: Gepulst
Mittlere Leistung (W): 80
Zentralwellenlänge (nm): 1064
Spektrale Linienbreite (nm): <30; 3 dB Bandbreite
Wiederholrate (kHz): 100-2000; einstellbar
Impulsdauer (ns): 0,1-0,2 ns; anpassbar
Max. Einzelimpulsenergie (mJ): 0,8
Leistungsregelbereich (%): 0-100
Ansprechzeit (μs): <100
Strahlqualität (M2): ≤1,5
Leistungsstabilität (%): ≤3 %; 24 h
Spotgröße (mm): 3,0±0,2; 1/e2
Strahlelliptizität (%): >90; typ. 92 %
Strahlversatz (mm): <1,0
Strahldivergenzwinkel (mrad): <0,5

Technische Spezifikationen

• Modell: NPFL-80IR-1.01
• Modus: Gepulst
• Mittlere Leistung: 80 W
• Wellenlänge: 1064 nm
• Spektrale Linienbreite: <30 nm (3 dB)
• Wiederholrate: 100–2000 kHz (einstellbar)
• Impulsdauer: 0,1–0,2 ns (anpassbar)
• Max. Impulsenergie: 0,8 mJ
• Leistungsregelung: 0–100 %
• Ansprechzeit: <100 μs
• Strahlqualität (M2): ≤1,5
• Leistungsstabilität: ≤3 % (24 h)
• Spotgröße: 3,0 ±0,2 mm (1/e2)
• Elliptizität: >90 % (typ. 92 %)
• Strahlversatz: <1,0 mm
• Divergenzwinkel: <0,5 mrad