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Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... Übersicht
- IPD900P06NM ist ein P-Kanal Leistungs-MOSFET, ausgelegt für Schalt- und Leistungsmanagement-Anwendungen.
- Technologie: OptiMOS™
- Polarität: P (P-Kanal)
- Typisches Gehäuse: DPAK (TO-252)
Wichtige ...
Infineon Technologies AG
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer ...
Infineon Technologies AG
Strom: -6,5 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerem ...
Infineon Technologies AG
Strom: -3,2 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-Leistungs-MOSFET in Industriequalität im SOT223-Gehäuse, der die Komplexität des Designs in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistung reduziert OptiMOS™ P-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und ...
Infineon Technologies AG
... OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer ...
Infineon Technologies AG
Strom: -100 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im D²PAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerem ...
Infineon Technologies AG
Strom: -0,29 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Anwendungen zum Schutz vor Verpolung. Der Hauptvorteil der OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs liegt in der vereinfachten Designkomplexität bei Anwendungen mit ...
Infineon Technologies AG
Strom: -0,55 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im SOT-23-Gehäuse sind ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Verpolungsschutzanwendungen geeignet. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerem ...
Infineon Technologies AG
Strom: -3,2 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Anwendungen zum Schutz vor Verpolung. Der Hauptvorteil der OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs liegt in der vereinfachten Designkomplexität bei Anwendungen mit ...
Infineon Technologies AG
Strom: -22 A
Spannung: -60 V
... OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bausteins ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerem ...
Infineon Technologies AG
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