PN-Übergang-Diode CLL series

für OberflächenmontageSchaltSilizium

Der Typ CLL2003 von CENTRAL SEMICONDUCTOR ist eine Silizium-Schaltdiode, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt wird und für Anwendungen konzipiert ist, die eine hohe Spannungsfähigkeit erfordern Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CLL914 ist eine Ultra-Hochgeschwindigkeits-Silizium-Schaltdiode, die nach dem Epitaxie-Planarverfahren in einem hermetisch versiegelten Glasgehäuse für die Oberflächenmontage hergestellt wird und für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen ausgelegt ist. Der Typ CENTRAL SEMICONDUCTOR CLL3595 ist eine epitaktische planare Siliziumdiode, die in einem hermetisch versiegelten Glasgehäuse für die Oberflächenmontage hergestellt wird und für Anwendungen mit geringem Leckstrom und hohem Leitwert konzipiert ist. Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CLL4150 ist eine Ultra-Hochgeschwindigkeits-Silizium-Schaltdiode, die nach dem Epitaxie-Planarverfahren in einem hermetisch versiegelten Glasgehäuse für die Oberflächenmontage hergestellt wird und für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen konzipiert ist.