PN-Übergang-Diode CMHD series

für OberflächenmontageGleichrichterSilizium

Die CENTRAL SEMICONDUCTOR Typen CMHD457A, CMHD459A sind Silizium-Planardioden, die in einem oberflächenmontierbaren SOD-123-Gehäuse vergossen sind und für Anwendungen mit geringem Leckstrom konzipiert wurden. KENNZEICHNUNGSCODES: CMHD457A: C7A CMHD459A: C9A Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD4448 ist eine Ultra-Hochgeschwindigkeits-Silizium-Schaltdiode, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem SOD-123-Gehäuse für die Oberflächenmontage vergossen wird und für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen ausgelegt ist. KENNZEICHNUNGSCODE: C48 Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD4150 ist eine Hochgeschwindigkeits-Silizium-Schaltdiode, die im Epitaxie-Planar-Verfahren hergestellt wird und in einem Epoxidharz-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist. Sie ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen vorgesehen. MARKIERUNGSCODE: C50 Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD3595 ist eine Siliziumdiode, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt wird, in einem Epoxidharz-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das für Anwendungen mit hoher Leitfähigkeit und geringem Leckstrom ausgelegt ist. MARKIERUNGSCODE: C95 Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHD2003 ist eine Silizium-Schaltdiode, die nach dem Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren SOD-123-Gehäuse vergossen wird. Sie ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Spannungsfestigkeit erfordern. MARKIERUNGSCODE: C03