PN-Übergang-Diode CMDD series

für OberflächenmontageSchaltSilizium

Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD3003 ist eine Silizium-Schaltdiode, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren SUPERminiTM-Gehäuse vergossen wird. Sie wurde für Schaltanwendungen entwickelt, die eine Diode mit extrem geringem Leckstrom erfordern. Die CMDD2004 von Central Semiconductor ist eine Hochspannungs-Silizium-Schaltdiode, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem SUPERmini™-Gehäuse für die Oberflächenmontage vergossen wird. Sie wurde für Anwendungen entwickelt, die hohe Spannungen erfordern. Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD4448 ist eine Ultra-Hochgeschwindigkeits-Silizium-Schaltdiode, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem SUPERminiTM-Gehäuse für die Oberflächenmontage vergossen wird und für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen konzipiert ist. Die CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD6001 ist eine Silizium-Schaltdiode, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem SUPERminiTM-Gehäuse für die Oberflächenmontage vergossen wird. Sie ist für Schaltanwendungen konzipiert, die eine Diode mit extrem geringem Leckstrom erfordern.