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PN-Übergang-Diode BAS series SMDSchaltSilizium
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Eigenschaften
- Technologie
- PN-Übergang
- Installierung
- SMD
- Funktion
- Schalt
- **********Technische Merkmale
- Silizium
- Sperrspannung
60 V, 75 V, 85 V
Beschreibung
Der BAS28 von CENTRAL SEMICONDUCTOR besteht aus zwei elektrisch isolierten Ultrahochgeschwindigkeits-Silizium-Schaltdioden, die im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierten SOT-143-Gehäuse aus Epoxidharz verpackt sind. Dieses Bauelement ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen konzipiert.
MARKIERUNGSCODE: A61 oder JTW
Der CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS56 besteht aus zwei elektrisch isolierten Ultra-Hochgeschwindigkeits-Silizium-Schaltdioden, die im Epitaxie-Planar-Verfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierten SOT-143-Gehäuse aus Epoxidharz verpackt sind. Dieses Bauelement ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen konzipiert.
MARKIERUNGSCODE: L51 oder WL5
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.